摘要：随着光刻技术和工艺技术的不断进步,设计人员发现。

摘要：系统设计人员经常在探索使用各种方法来满足日益增长的高工作速度的需求.一种看来似乎显而易见的答案就是使用较快的逻辑电路,但是CMOS逻辑本身有时不能按所要求的时钟速度运行.那些使用门阵列和标准单元库的设计人员常常要另外增加SRAM块用作缓冲器、FIFO寄存器和双端口存储器.这可使他们增强系统体系结构,提高系统速度.但是,在FPGA中实施成千上万位的存储器,不是大大减少可用的门数,就是效率低下,以致不能将FPGA逻辑用于大量存储器.最近,几家基于SRAM的FPGA供应商已把额外的SRAM加到其阵列中,从而使它们能取代掩模门阵列或基于单元的门阵列.事实上,Actel公司的设计人员还增加了存储器.就这家公司而言,它是把存储器加到做在0.

摘要：可望制作吉(10~9)位动态随机存取存储器(RAM)和64M位静态RAM的 存储单元结构的进展,以及可在3.3V或更低电源电压下工作的高密度逻辑电路的发展,这些都是在IEDM会议上展示的重大进展,它表明存储器密度和逻辑电路的复杂性都在飞速提高.在多层金属互连和器件结构上的改进,也预示着下一代逻辑芯片的电路复杂性将会有重大改进.在第26会场,即“集成电路——先进的动态和静态RAM”会场上,有三篇论文着重谈到了一些最新存储器结构取得的最新进展.日本东芝公司、韩国三星电子公司和日本NEC公司均介绍了存储容量高达1吉位及超过1吉位的存储器使用的新颖存储单元结构和电路体系结构.