摘要：位于美国加州米尔皮塔斯(Milpitas)的芯片制造商LSILogic公司推出的可配置硅片技术是专为缩短定制芯片的面市时间并同时降低设计和制造方面的风险而开发的。这项名为RapidChip的新技术采用了一个被称为“程序片(slice)”的预制器件,其中内置了所有的硅层,而将最上面的5个金属层留待采用客户独特的IP来完成。由于该技术能够消除接口集成方面的难题,并能以更快的速度、更高的预见性及更低的成本来生产定制的高密度产品,因此预计用户将从中受益。首先借助“程序片”中已有的功能,然后再增添所需的功能块,即可容易地进行芯片的定制。一旦用户开发出了“程序片”,他们就能够将之应用于许多设计,这样就可以对原始设计进行若干种变更,而额外付出的时间和精力则被减少至最低限度。该器件填补了单元型(cell-based)ASIC和FPGA之间的空白。与ASIC相比,采用这种器件虽只能获得前者80%的性能,但在工具成本、设计时间和制造时加的好处还包括性能和密度分别达到了目前领先的FPGA的2倍和15倍,而成本仅为其10%。该公司的目标是使通信系统设计师率先用上此项技术。这一被命名为StreamSlice的平台能够为高端交换器和路由...

摘要：在美国纽约州Ithaca的康奈尔大学的研究者们创建了一种单原子晶体管，它是通过在两个金电极或者金属线所形成的电路之间埋置入所设计的微小颗粒而获得的。他们相信已经达到了可以达到的最小尺寸的极限——在晶体管中电流通过单个钴原子。这种单原子晶体管处理方法证明了，元器件的尺寸可以比所用常规平版印刷技术可以达到的尺寸再大幅度缩小的可能性。当在单原子晶体管上施加上电压时，电流会通过在所设计的微小颗粒中的单个钴原子，借助跳入和跳出钴原子，从这个电极到达另外一个电极。这样形成的器件，虽然说它不具备一个晶体管的所有功能，例如放大功能，但是会引起器件周围介质的变化，从而引发可以测试得到的器件电导率的变化。在所设计的微小颗粒中心位置的钴原子被碳原子和氢原子团团围住，通过与苯相关的、采用氮杂苯制造的分子把手把它就位在一个面上。在它们的外层面，把手附着到硫原子上，可以起到像涂有粘接剂的手指一样的作用，将微小颗粒与金电极结合在一起。有两种不同的微小颗粒已经被详细地进行了研究，一个比另外一个具有更图研究人员已经通过在两个金电极或者引线所形成的电路之间，埋置入一个特定设计的微小颗粒的办法，形成了一个单原子晶体管长的把手。结果发现具有较短把手...

摘要：位于美国加利福尼亚州圣尼维尔（Sunnyvale）的高密度存储器解决方案供应商MoSys公司近日取得了一项技术突破，使得传统SRAM的密度提高了三倍。这项被称为1T-SRAM-Q的独有技术，是专门针对不断增长的消费类产品的低功耗要求及高性能产品的高带宽要求而设计的，这些需求均要求采用更多的片上存储器。这一突破性的研究成果基于该公司的面折叠电容器（FAC，Folded-AreaCapacitor）技术，即把1T-SRAM栅极氧化物电容器沿着浅沟道隔离侧壁垂直折弯，以占用较少的芯片水平面积，进而达到减小位单元尺寸的目的。利用这种方法形成的0.50μm2和0.28μm2的较小位单元能够在采用0.13μm和0.09μm制造工艺的情况下分别实现容量高达128Mb和256Mb的嵌入式存储器的集成。由于位单元面积的减小使得内部信号通路变短，由此可提高速度并降低功耗。采用该技术时只需在标准的逻辑电路制造过程中增加一道非关键性的掩膜工艺。而且，该附加工艺并未对晶体管的热特性提出新的要求，因此，与采用先前的1T-SRAM时相比，设计参数的变化并不很大。1T-SRAM-Q器件还采用了该公司独有的透明纠错（TransparentEr...

摘要：在Hewlett-Packard（惠普）公司的科学家们已经成功获取了一项专利，它被描述为是一项简单的、成本低廉和可以实现的化学加工工艺，它能够用于制造各种各样分子尺寸大小的电子器件。HP的科学家们相信这项技术能够继续将摩尔法则再延伸50年，这远远超过了传统的硅加工工艺理论的极限。在美国的Hewlett-Packard公司研究中心已经开发成功了一项化学加工工艺方法，它能够通过在仅数个原子宽的相交引线通道内截获有关电的可换向分子。在传统的集成电路制造方法中，每一次只能在一个层面上制成错综复杂的引线和转换开关布局。利用这项发明，引线不需要在一个非常精确的点或者角度上进行横穿，在器件被制造好了以后，分子的作用就能够被限定住。通过设计一个具有8根40nm宽平行线的控制模块，可以制成逻辑、存储、通信和信号传输器件。研究人员将这个模块压入硅晶圆上的聚合物层内，以制成具有8根平行线的槽沟。当用白金填满了这些槽沟以后可以形成引线，研究人员将一层电子可换向分子沉积在该表面上。最后，他们将模块转90°并使另外8根引线垂直地通过首次放置的分子层的顶部。结果该器件在顶部和底部的相交引线共包容了64个相交点。存储器的二进制数据（bit）...

摘要：位于美国德克萨斯州奥斯汀的MotorolaSemiconductor公司展示了首款基于硅纳米晶体的4Mb存储器件。由于现用的浮栅快擦除存储器在几何尺寸的压缩方面正逐渐逼近物理极限,因此人们正在寻找其替代者,而这种试验芯片的问世堪称此进程中的一个重要里程碑。硅纳米晶体存储器是一种被称为薄膜存储器的先进存储器技术,它是Motorola公司在业界生产的存储器的几何尺寸已普遍缩小至90nm甚至更小的情况下开发出来的。该公司的DigitalDNA实验室采用传统的淀积设备将形状类似于直径为50的球体的硅纳米晶体置于MotorolaSemiconductor公司开发的硅纳米晶体存储器是一种被称为薄膜存储器的先进存储器技术两层氧化物之间。该球体被设计成能够保持电荷,并防止电荷横向移动至其他的隔离纳米晶体。该技术将提升可靠性和可扩缩性,因为某一个氧化物缺陷不会像在传统的浮栅非易失性存储器中那样导致电荷的全部损失。在研究人员攻克了使纳米晶体以一致的尺寸和密度反复生长这一难题之后,该公司运用其90nm生产工艺在200mm晶圆片上制成了这种试验芯片阵列。如果纳米晶体过小或过于分散,则存储器件将不会保持足够的电荷密度。正确的密度允许存...