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为耐用和可靠而设计的4.5kV压接式封装IGBT(英文)
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《电力电子》2004年 第5期2卷 56-63页
作者:S.埃克尔 M.雷西莫 e.齐普拉柯夫 D.施内德 U.施拉普巴赫 e.卡洛尔ABB公司半导体分部 
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发...
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为耐用和可靠而设计的4.5kV压接式封装IGBT
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《电力电子》2004年 第6期2卷 -页
作者:S.埃克尔 M.雷西莫 e.齐普拉柯夫 D.施内德 U.施拉普巴赫 e.卡洛尔 梁苏军ABB公司半导体分部 北京国安电气总公司 
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发...
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