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用折反射步进重复曝光装置进行亚微米作图
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《电子工业专用设备》1999年 第2期28卷 54-59页
作者：elli.,dj 谢中生 
介绍在光刻中使用２４８ｎｍ和１９３ｎｍ波长的一种新颖作图装置。设计该装置以抗蚀剂材料为其特征，应用在先进的存储器（６４Ｍｂ、２５６Ｍｂ）和高密度双极ＩＣ生产中。随着应用于图形中ＤＵＶ灵敏的光致抗蚀剂的工艺情况，将描述...
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