文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

为什么EliteSiC M3S技术是高速开关应用的更优选择?: 收藏
分享
引用; 《中国电子商情》2023年第10期 37-40页; 作者：fatih cetindag安森美汽车电源部; 碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介电击穿场强、能带隙和热导率,电力电子设计人员可以利用这些特性来开发比硅基IGBT器件效率更高、功率密度更大的电源转换器。针对这些应用,为了最大限度地减少高频下的导通和开关损耗,需要使用低RDS(on...; 碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介电击穿场强、能带隙和热导率,电力电子设计人员可以利用这些特性来开发比硅基IGBT器件效率更高、功率密度更大的电源转换器。针对这些应用,为了最大限度地减少高频下的导通和开关损耗,需要使用低RDS(on)和低Qrr(体二极管反向恢复电荷)的器件。; 来源：详细信息评论

限定检索结果