摘要：等离子体浸没离子注入(PIII)是用于材料表面改性的一种廉价高效、非视线的技术.采用等离子体粒子模型,通过假设电子密度服从Boltzmann分布,求解Poisson方程和Newton方程,跟踪离子在等离子体鞘层中的运动形态及特性并进行统计分析,研究了不同上升速率和形状的6种波形上升沿对鞘层时空演化、离子注入能量和剂量的影响.结果表明,在PIII过程中,脉冲上升沿影响了等离子体鞘层的扩展,且不同波形诱导的鞘层厚度间存在最大差值.电场强度在鞘层的外边缘区域存在陡降区,离子的运动为非匀加速过程.可以通过调整脉冲波形上升沿特性实现离子注入能量和剂量的优化,数值仿真可以有效地为电源设计和工艺优化提供依据.

摘要：高功率脉冲磁控溅射(Hi PIMS)技术被提出以来就受到广泛关注,其较高的溅射材料离化率结合适当的电磁控制,可产生高致密度、高结合力和高综合性能的涂层,但其沉积速率低、放电不稳定、溅射材料离化率差异较大.我们设计了一种筒形溅射源,通过对结构的设计优化,利用类空心阴极放电效应,使问题得到解决.然而其靶面切向磁场不均匀,电子逃逸严重,进而造成等离子体密度偏低,且放电不均匀.本文通过对其放电和等离子体分布进行仿真,提出电场阻挡和磁铁补偿两种方案,研究了不同电场控制条件下的放电行为和等离子体分布.结果表明:增加电子阻挡屏极可以生成势阱,从而有效抑制电子从边缘的逸出;优化后的磁铁补偿可以显著提高靶面横向磁场的均匀性及靶面利用率.两种方案同时作用时,Hi PIMS放电刻蚀环面积更大、且更加均匀.

摘要：任何电子产品在进入市场之前的可靠性测试是十分重要的环节。为此,在之前的几十年中开发了多种类型的测试方法。一种广泛使用的测试方法便是线路板弯曲测试。进行可靠性测试的一个主要问题就是需要大量的测试样品,这是因为这种测试必须重复进行直到获得一致并满意的测量结果。其测试样品的设计,组装工艺和测试程序需要花费长期的时间。如果可靠性测试结果不满意,测试样品需要重新设计、重新生产、重新测试,这从商业的观点来看成本过高且低效。为简化可靠性测试程序,提出了计算模拟的方法在前期设计阶段来预测印制板组装线的可靠性。在目前的研究中,可靠性测试采用了三点弯曲测试法。实现了有限元模式确认及关于该模式应用的2种情况研究。