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检索条件"作者=G.V.Hansson"
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在液氮温度下具有高增益的Sige/SiHBT
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《Journal of Semiconductors》1997年 第5期18卷 367-370页
作者：邹德恕 陈建新 沈光地 高国 杜金玉 张时明 袁颖 王东凤 邓军 W.X.Ni g.v.hansson北京工业大学电子工程系 DepartmentofPhysicsLinkopingUniversitys-58183LinkopingSweden 
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的Sige／SiHBT，并分析了其工作机理．
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