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评价功率MOSFETs热稳定性的客观标准
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《电力电子》2006年 第3期4卷 47-49页
作者：Scott Pearson gary dolny 吕长志 亢宝位Fairchild Semiconductor Corporation Alain Laprade 北京工业大学 
为了低损耗开关模式电源(SMPS)结构的最佳化,硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导,并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时,具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件...
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