T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）
AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)
范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016
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详细信息评论摘要：在高压中小功率容量应用领域中,新一代功率器件的发展和推陈出新具有明显的特征,即在正向导通压降、击穿电压和开关频率之间进行平衡以获得最优化的组合。最近推向市场的ESBTTM,即发射极开关双极性晶体管(Emitter Switched Bipolar Transistor),代表了功率器件的一个新的产品系列,特别适合于高压高开关频率应用领域。在简单介绍发射极开关原理及其从离散到积分方程的推演之后,本文还介绍了和有效基极驱动方法有关的全部知识,因此本文也能为功率变换器设计工程师提供有益的帮助。
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