摘要：为提高网络机柜的故障预警处置能力,设计了网络机柜微环境智能监控系统。该系统通过安装在机柜上的嵌入式终端采集电能和非电能信息并通过以太网传输至Web服务器。采集信息异常或机柜故障时,终端智能报警并发送短信提示异常情况。试验结果表明,该系统对异常和故障定位迅速准确,远程控制功能稳定可靠。

摘要：以湖州特色地域文化为背景,结合湖州皮皮鲁手绘创意文化有限公司实际电子商务运营模式,展开基于区域特色文化的电子商务模式研究。结合理论分析和公司实际运营经验,概括出了四种将区域特色文化与电子商务相结合的模式。

摘要：以某汽车旋锻轴为例,对其不同变形截面硬度测量,通过硬度强度转换,求出不同变形截面径向变形量与应变。由径向变形量与硬度强度关系:由于旋锻轴旋锻加工方式对应无芯棒旋锻与含芯棒旋锻,不同加工形式对应的加工硬化差异较大。由应变与硬度强度关系:随着应变的增大,硬度强度对应增大,将不同变形截面应变与强度关系拟合成幂函数加工硬化曲线,并与由材料拉伸试验拟合硬化曲线对比,在工程上通过径向变形量的变化来描述加工硬化。

摘要：为实现对磁流变半主动悬架控制算法快速有效的验证,基于快速原型控制器,设计搭建了控制算法验证平台。1/4车辆悬架系统模型考虑了主销倾角及下摆臂空间角度;悬架安装了加速度及车身高度传感器;使用LMS Test Lab试验测试系统采集分析悬架系统振动状态;快速原型控制器作为开发调试控制算法的载体;通过平台验证试验,介绍了基于此平台开发调试算法的过程,验证了此平台控制过程监控、调试控制算法、量化分析控制效果的功能,表明此平台满足设计目标,可以方便、快捷及有效地开发、调试及验证半主动控制算法。

摘要：张滩闸坝左岸厂房基础地质条件复杂,厂房建基面覆盖层较深,下伏基岩面起伏较大,且溶蚀沟槽发育,对此,设计阶段采用PHC桩进行处理,从而提高地基承载力,防止不均匀沉降。采用Midas建立桩基模型,模拟单桩在分步加荷的工况下,桩体受力及沉降规律,结果表明,PHC桩承载力及沉降量满足设计要求,为前期设计提供了较为准确的参考依据。

摘要：为了解决传统i_p-i_q方法在三相电网电压不对称时不能准确提取基波正序有功和无功电流的问题,增加三相电压同步参与abc/α-β坐标变换,给出在α-β坐标系中求取瞬时基波正序有功(无功)电流矢量坐标的数值计算方法,并设计了以TMS320F2812为核心的采样系统。通过MATLAB/SIMULINK环境仿真,搭建三相电网不平衡系统,并与传统i_p-i_q检测有功电流进行测试比较,证明了该方法获取基波正序补偿指令的精确性。

摘要：介绍了施工免支撑先张法预应力混凝土框架叠合梁两阶段设计的方法,并以贵阳市某AA级装配式工业厂房为背景,与常规装配整体式框架结构进行了对比分析。结果表明:采用装配式先张法预应力混凝土框架梁的梁端负弯矩显著降低,跨中正弯矩显著增大;可大幅度减少梁支座钢筋用量,并充分利用高强度钢绞线降低梁高和跨中钢筋用量,有效降低建筑材料用量和碳排放量,同时大幅减少进入梁柱节点核心区的钢筋数量,提高建造速度,降低建造风险和建造成本。对于大荷载大跨度大层高的工业厂房建筑,采用免支撑先张法预应力混凝土框架叠合梁,可实现比常规装配整体式框架结构更低的造价和更快的建造速度,具有很好的推广应用价值。

摘要：以某轿车半轴为研究对象,采用主应力法研究径向锻造过程中摩擦系数、轴向推拉力、模具角度和精整段长度对中性面和锻打力的影响。研究结果表明:摩擦系数、锤头角度和精整段长度对中性面和锻打力的影响较大,轴向力对两者的影响较小,但拉锻比推锻在减少锻造载荷方面更有利。中性面的位置影响轴的加工质量,可优化设计模具角度和精整段长度控制中性面的位置,进一步提高轴的加工质量的同时有效降低锻打力。得出相应的模具结构设计参数,并以该模具试制半轴,验证模具参数制定的正确性。

摘要：招贴信息的传达以平面图形符号为首要语言,图形符号是一个包罗万象的庞大系统,它直接决定着招贴的传达效果和审美感受。本文从图形符号的角度,通过意象性图形符号的三大特点及其有效的实现方式,说明招贴中图形符号的表达意义应走出“平面性”的局限,力求具有文化意义和审美意义上的层次感和深度感。

摘要：为了保护芯片不受电源电压起伏的影响,设计了一种应用于移动多媒体广播(CMMB)的带保护电路的低功耗低压降线性调节器(LDO);为了保证LDO的反馈环路在所有负载电流下均稳定,采用低增益、低输出阻抗的buffer来驱动输出管,使环路的相位裕度都高于40°;为了避免输出管在过流和过热时损坏,设计了过流保护电路和过热保护电路:过流保护电路将过载的电流限制在150 mA;过热保护电路包含滞回功能,在温度高于145℃时,过热保护电路将LDO关断,当温度低于125℃时,LDO重新打开。LDO的输入电压范围为1.5～3.3 V,输出电压为1.2 V。LDO采用0.35μm CMOS工艺设计,共消耗30μA的静态电流,最大负载电流为80 mA。芯片面积为380.2μm×198μm。