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检索条件"作者=HU HuiYong"
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Hole scattering mechanism of strained Si/(111)Si_(1-x)Ge_x
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《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2011年 第10期54卷 1801-1804页
作者:WANG Cheng ZHANG HeMing SONG JianJun hu huiyongKey Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of Microelectronics Xidian University Xi'an 710071 China 
Based on Fermi’s golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, the hole scattering mechanism ofstrained Si/(111)Si1 xGexwas established, including ionized impurity, acoustic phonon, non-polar ...
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从“惊悚”到“经典”——麦克尤恩小说伦理道德危机主题探微
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《当代外国文学》2014年 第2期35卷 85-92页
作者:胡慧勇安徽农业大学外国语学院 
本文从20世纪下半叶英国社会现实出发,对伊恩·麦克尤恩早期和中期作品的艺术风格进行文本分析,认为麦氏的这些作品均充分揭示了英国战后的伦理道德危机,但这两个时期的小说呈现出较大的分野。20世纪七八十年代的作品以伦理禁忌为...
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广州海心桥主桥设计
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《桥梁建设》2023年 第6期53卷 119-126页
作者:杨勇 胡会勇 乐小刚 周昱广州市市政工程设计研究总院有限公司广东广州510060 
广州海心桥是跨越珠江的人行景观桥,整体造型采用“琴鸣绢舞,岭南花舟”的概念,主桥采用拱跨198.152 m的曲梁斜拱中承式钢拱桥,拱梁固结。该桥共设置2条步道,二者在边跨部分平面呈分叉分幅布置,中跨合并成整幅,标准桥宽15 m。拱肋采用...
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第一性原理研究应变Si/(001)Si1-XGeX能带结构
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《固体电子学研究与进展》2009年 第3期29卷 315-319,359页
作者:牛玉峰 庄奕琪 胡辉勇 宋建军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 
应变SiCMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(001)Si1-XGeX(X=0.1~0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:应变消除...
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多向荷载作用下超大直径群桩基础方案评价
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《地下空间与工程学报》2023年 第3期19卷 973-980页
作者:杨勇 杨春山 胡会勇 欧振锋 王巍广州市市政工程设计研究总院有限公司广州510060 
海心桥是连接广州南北轴线的重要联系纽带,因上部复杂的异性结构体系,导致其下部基础承受了复杂的多向荷载作用。考虑土层-结构相互作用,建立海心桥超大直径群桩基础三维精细计算模型,分析基础结构与桩周土的力学性状,量化结构承载力安...
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大跨度异形矮墩连续刚构桥设计与创新
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《市政技术》2022年 第7期40卷 154-159页
作者:张松涛 郭建民 胡会勇 郭飞广州市市政工程设计研究总院有限公司广东广州510060 
连续刚构体系的受力特性与主墩的抗推刚度密切相关。当采用较矮的桥墩时,由于桥墩自身抗推刚度大,在温度荷载、收缩和徐变等作用下,就会在墩底产生较大的内力。异型矮墩连续刚构桥造型新颖,独特的创意具有较高的景观价值,但对于该类桥...
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偏振敏感双机制增强近红外GeSn等离型光电探测器设计(特邀)
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《光子学报》2021年 第10期50卷 225-232页
作者:韩钊 张蓓 张峻铭 苑西西 张宁宁 孙浩 王利明 胡辉勇西安电子科技大学微电子学院西安710071 
为了解决GeSn光电探测器反应能力不足和信号噪声比差等方面的不足,提出一种偏振敏感的双机制增强的GeSn光电探测器。该光电探测器同时具有法布里-珀罗模式和表面等离激元模式,其中,GeSn薄膜和二氧化硅薄膜提供了法布里-珀罗模式,而表面...
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一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器
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《固体电子学研究与进展》2023年 第6期43卷 527-532页
作者:张键 胡辉勇 周远杰 何峥嵘西安电子科技大学西安710071 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 
基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入...
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应变Si/(001)Si1-xGex能带结构模型
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《固体电子学研究与进展》2009年 第1期29卷 14-17页
作者:宋建军 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 宣荣喜西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 
应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随G...
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预应力混凝土箱梁结构设计探讨
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《城市道桥与防洪》2011年 第6期 86-88,98页
作者:胡会勇广州市市政工程设计研究院广东广州510060 
昆明市二环全长27.07 km,为城市快速路高架桥系统,其中东环、北二环长约13.5 km。该文对昆明二环中出现的预应力连续箱梁的设计进行介绍和总结,讨论了梁端张拉方式的处理,施工缝处钢束的处理方式,可供其它同类工程参考。
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