摘要：Oxidative etching can be a powerful approach to modify the morphology of nanoscale materials for various *** of the etching mechanisms and morphological evolution during etching is *** the liquid cell transmission electron microscopy,we investigate the etching behavior of gold nanorods under different electron beam dose rates:caseⅠ,3.5×10^9 Gy s^-1;caseⅡ,1.5×10^10 Gy s^-1;caseⅢ,4.5×10^10 Gy s^-*** Au nanorod develops facets at the tips(caseⅠ)or adopts a transit ellipsoid shape and eventually dissolves(caseⅡ),depending on the dose *** rapid etching under an even higher dose rate(caseⅢ)may lead to the formation of Au3+ion-rich intermediates around the nanorod,which further accelerates the lateral etching and unexpectedly increases the aspect ratio of the *** quantitative analysis shows that the critical size of the nanorod,below which the etching rate increases significantly with the reduction of nanorod size,may vary subject to the degree that the system is away from *** results provide significant insights into the oxidative etching mechanisms and shed light on the rational design and synthesis of nanostructures.

摘要：结合南亚印度洋某国沿海地区超高层建筑的水文地质条件及周边环境,采用旋喷桩及超前小导管注浆等施工工艺建立止水帷幕进行全方位截渗,将内外水力联系全面切断。通过止水帷幕设计思路、工艺、施工过程控制等方面作详细介绍,论证了该技术在项目应用中的良好效果。

摘要：报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0·022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0·19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.

摘要：结合济南章丘区大站水库入库滩涂原地形地貌进行优化设计改造,制定梯级生态治理方案并进行影响分析,将观测结果归纳整理并形成结论,以期能为相似项目建设提供一个可参考的模式。

摘要：针对苏北盆地复杂小断块油藏"碎、小、低、薄、深"的地质特征以及"三低、三高"的开发特征,探索形成了CO2驱/吞吐室内物模实验、CO2驱/吞吐适宜度评价、CO2驱方案设计与适时优化调整、CO2驱混相判识和CO2驱开发效果评价等5项开发技术,以及采集、净化、集输、注入、采油、回收等6项配套工艺技术。在低油价形势下,围绕成本和效益2个关键因素,通过深入研究和技术进步,将注CO2提高采收率技术的应用范围从低渗透油藏逐步扩大到中高渗透油藏,从单一驱/吞吐向组合驱/吞吐发展,为苏北盆地稳产上产和效益开发提供了有力的技术支撑。

摘要：设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7 N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-GaN/i-GaN/n-Al0.38Ga0.62 N被置于腔内.该结构采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底和GaN模板上外延生长得到.光谱响应测试显示了正入射时该器件在波长313nm处出现响应的选择增强,零偏压下响应度为14mA/W.