摘要：IRMCK099是一种低成本,高性能的基于OTP存储器的运动控制ASIC,主要用于设备应用。IRMCK099旨在为先进的变频器马达控制实现高性能控制解决方案。IRMCK099包含灵活的Tiny运动控制引擎(Tiny MCE),用于在全速范围内对永磁电机进行无传感器控制。Tiny MCE通过硬件和IR提供的固件元件的组合实现使用单独或者腿并联电流反馈的无传感器磁场定向控制。诸如角度估计器的复杂无传感器控制算法的关键部件按完全预定义的控制块提供。该ASIC通过包括A/D转换器,模拟放大器,过流比较器。

摘要：阐述了最近出现的几种器件的原理,诸如超级结型(Super Junction)MOSFET,IGBT和SiC(碳化硅)器件的发展趋势。所有这些器件都具有1000V范围的阻断能力,并适用于不同的领域。最新一代CoolMOS(低损耗MOS 场效应管)在额定脉冲电流容量下能兼有极高的通态导电率和超快的开关速度。其阻断电压能力可复盖由500～ 800V的范围。在许多应用场合,CoolMOS的杰出开关性能由于缺少能与动态特性相匹配的二极管而不能被利用。由于这个原因随之开发了一个完整的SiC二极管系列,以获得开关器件和超快二极管的理想配对。这种二极管的性能将在后面讨论。碳化硅开关器件表现出远胜于硅器件的性能。既有高阻断电压,又有低通态电阻率是SiC功率开关器件的最突出的特征。SiC器件最吸引系统设计人员之处在于其MOSFET和JFET能在阻断电压1800V下分别具有47mΩ·cm2和14.5mΩ·cm2的通态电阻率。为了用具体器件说明这些前景,我们将讨论通常为垂直型JFET结构的这类器件,其阻断电压高达1800 V,且通态电阻率为12mΩ·cm2。

摘要：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。

摘要：介绍了基于西门子C164微控制器的电动自行车变频控制研究,主要从变频原理、微机控制、系统整体三方面给出了详细的说明。系统设计简单,控制效率高,有很好的发展前途。

摘要：1997年eupec制造出了它的第一个具备完整保护功能的8 kV光直接触发晶闸管。自那时起,eupec售出了10000多只不同尺寸和不同阻断电压的光直接触发晶闸管(LTT)。LTT由于阻断电压高的显著优点和易于实现光触发而被用于高压直流输电(HVDC)。LTT集成了多种保护功能,因此不再需要电触发晶闸管(ETT)的外部保护电路通常所需的昂贵而灵敏的电子元件。 LTT用在需要晶闸管串联的高电压应用中。典型的例子有HVDC装置、静态VAR补偿器(SVC)、中压驱动中的变流器和软启动器以及各种脉冲功率应用。为了展示LTT的优异性能,首先需要关注的是系统成本和可靠性。