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双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管
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《Journal of Semiconductors》2005年 第2期26卷 354-356页
作者:李果华 孙艳宁 严辉 Aristo Yulius jerry m woodall江南大学理学院光信息科学与技术系无锡214122 耶鲁大学电子工程系 北京工业大学量子材料实验室北京100022 
设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管 ,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响 .结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性 ,特别是在短波方向有高于 80 %的内量子效率 .这说明在双梯度掺...
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