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用硬开关VIENNA Boost转换器描述AlGaN/GaN/AlGaN功率双异质结场效应晶体管: 收藏
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引用; 《电力电子》2011年第1期9卷 35-39页; 作者：Jordi Everts Pieter Jacqmaer Ratmir Gelagaev johan driesen Jeroen Van den Keybus Jo Das Marianne Germain 田琦袁立强KULeuvenBelgium TriphaseBelgium ImecBelgium ImecBelgiumKULeuvenBelgium 清华大学电机系; 一种高频、硬开关boost转换器(VIENNA拓扑)被用来描述新型AlGaN/GaN/A1GaN功率双异质结场效应晶体管(DHEFTs)在运行状态下的特性。这种变换器可以让我们精确地测量出功率电路设计中最重要的器件参数(动态开通电阻R_(dyn),门极漏极电荷Q_...; 一种高频、硬开关boost转换器(VIENNA拓扑)被用来描述新型AlGaN/GaN/A1GaN功率双异质结场效应晶体管(DHEFTs)在运行状态下的特性。这种变换器可以让我们精确地测量出功率电路设计中最重要的器件参数(动态开通电阻R_(dyn),门极漏极电荷Q_(gd),密勒电荷Q_(gd),开通电压V_(th),开关时间t_(on)和t_(off),质品因数FOM……)。通过采用正确的测量手段和自行开发的精确度/分辨率改进电路可以实现高度准确性。在A1GaN/GaN/AIGaN DHEFTs样品上进行的动态开通电阻和门极电荷的测量得到了很好的结果。; 来源：详细信息评论

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