文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

提供低损耗大功率的MOSFET: 收藏
分享
引用; 《电子设计技术 EDN CHINA》2011年第8期18卷 57-57页; 作者：Camilo Quintáns Graa jorge marcos acevedo西班牙维戈市维戈大学; 硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为...; 硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。; 来源：详细信息评论

限定检索结果