摘要：微纳定位/进给技术是微纳科学技术、微电子工程、航空航天等领域的关键基础技术。它同时也是微纳科学技术走向产业化的前提。就当前的几种典型的微纳电位/进给技术做一个总结,分析了各种定位/进给机构的定位/进给原理和具体结构,指出了存在的问题和可能的解决方法。

摘要：为了克服氧化铝陶瓷存在加工难度及脆性大等缺点,研制成功了一种新型低熔点可加工微晶玻璃陶瓷,它具有良好的力学、热学和可加工性能,但需进一步了解其电气性能。因此,测量了这种新型陶瓷的介电特性;考察了其在真空中脉冲电压下的沿面耐电特性;对比分析了氧化铝陶瓷和可加工陶瓷的表面耐电性能及不同添加剂成分与不同比例的添加剂对可加工陶瓷表面耐电性能的影响。结果发现,这种可加工陶瓷符合电工陶瓷的标准,其表面耐电性能优于氧化铝陶瓷,可替代现有的陶瓷材料,并获得了较好的配方设计。

摘要：针对无线传感网负载均衡问题并考虑在数据收集流量模式下节点的负载与距离数据收集节点Sink的跳数相关的特点,提出了一种基于梯度的非均匀分簇算法。通过构建符合实际流量模式的分簇拓扑结构,寻求网络的负载均衡,在一定程度上缓解近Sink的网络拥塞("热区")问题。分析此种数据汇集模式的数据流量特性,给出了节点至Sink跳数(梯度)与其负载流量的关系;从不同梯度的簇头负载与相同梯度的负载两方面着手,设计了负载平衡的非均匀分簇调整算法(WUC),依据节点自身的梯度确定分簇的规模,以多权值优化的方式成簇。仿真结果表明,网络中不同梯度的簇头流量负载标准差降低了9倍左右,网络的负载平衡有了显著的改善。

摘要：随着无线通信技术的快速发展,作为无线通信系统的重要组成部分,射频前端性能的优劣直接影响到整个系统的通信质量和稳定性。作为实现射频前端的关键技术之一,混合信号集成电路技术的设计与性能优化成为当前研究的热点。

摘要：基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100V,60A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。

摘要：城市化进程的快速发展,使市区用地紧张化加剧。而汽车保有量的逐年增加,更使停车难的问题成为民生热议。电梯式智能立体停车库的研究,属于公共交通技术领域,结合机械传动设计、钢结构框架载体、传感器、中央控制单元等,进行停取车的智能控制,实现了高效、节能和空间整合的并行。设计中充分利用了垂直空间,适用于中型停车场的设计,对城市中心小区域空间的充分利用具有积极意义,智能的控制方式和多车位的设计更解决了快速停车的应急和停车难的问题。

摘要：采用连续快速热成核方法制备钛液水解晶种,研究了晶种的水解活性、水解偏钛酸粒径分布、金红石转晶性能及产品二氧化钛的颜料性能。结果表明,与工业碱中和晶种相比,连续快速热成核法制备的晶种具备高的水解活性(在2%晶种添加量下水解率可达96%);其水解产品偏钛酸的粒径更小,且粒度分布更均匀;在不添加煅烧晶种的情况下,连续快速热成核晶种工艺金红石转晶性能更佳,煅烧晶种的添加对连续快速热成核晶种工艺产品二氧化钛的颜料性能优化显著。为了满足工厂应用需求,利用Aspen EDR设计了一款新型管壳式晶种制备装置,并对水解工序进行优化设计。

摘要：传统的开关型LED驱动电源中含有大电解电容和高频变压器,导致LED驱动电源的体积庞大且使用寿命较短。分段式线性恒流驱动电源可以避免使用大电解电容和高频变压器。设计了一种新型的分段线性恒流LED驱动电源,利用整流之后的高压脉动直流电压的变化,自适应地控制LED灯珠分阶段恒流工作。除整流桥和采样电阻外,整个驱动电路可实现单芯片集成,有效缩小了体积、延长了寿命。电路中还设计了智能拓展端口,可实现智能化控制。基于华虹宏力0.5μm 700 V BCD工艺对电路进行了仿真验证,在0~311 V周期脉动高电压输入条件下,驱动芯片分四阶段恒流工作,输出最大恒定电流可达97.17 m A,在恒流阶段,电流的瞬态精度误差仅为0.031%。仿真结果表明,该LED驱动电路各指标参数均满足预期要求。

摘要：针对脑磁图、磁共振等测试环境的特殊要求，设计了基于力敏电阻器（FSR）的指力检测装置。在该装置中，利用聚碳酸酯材料设计了将指力转换为FSR电阻改变的机械装置，通过恒流源电路将FSR电阻变化转换为电压信号，以USB6008和LabVIEW实现了数据的实时采集和显示，并对整个装置进行了静态标定和动态特性测试。测试结果表明：输出电压和施加压力近似呈指数关系；在0—15N的静态测试范围内，输出力量与实际压力的绝对误差小于0．5N，相对误差小于10％；在0-25N的动态测试范围内，绝对误差主要集中在0-2N，相对误差主要集中分布在2％-8％。装置具有较好的静态和动态特性，可用于脑磁图、磁共振等环境下指力实验。

摘要：设计了一款低失调轨到轨运算放大器。通过利用两个晶体管的基极-发射极(BE)结压降和一个可修调电阻来钳制共射-共基组态中共基对管的集电极电位,同时用电阻代替输入级有源负载,有效抑制了电路失调;偏置电路使用温度系数相反的p型结型场效应晶体管(p-JFET)与Cr-Si电阻结合,产生高精度、低温漂的电流;增益级与输入级组合为共射-共基结构,实现高增益;输出级采用AB类结构,保证轨到轨输出的同时提供足够的驱动能力。基于互补双极型工艺流片,测试结果表明:在电源电压±15 V,共模输入电压为0 V时,输出电压摆幅为-14.97~14.86 V,输入失调电流低于0.8 nA,大信号增益达到121 dB,压摆率为4.28 V/μs。该芯片可应用于便携式电信设备、电源控制与保护、采用轨到轨输入的传感器等领域。