摘要：Traditional planar inductors in Radio Frequency （RF） Integrated Circuits （ICs） are plagued by large areas, low quality, and low frequencies. This paper describes a magnetic-based CMOS-compatible RF in- ductor. Magnetic-core inductors with various ferrite-filled structures, spiral structures, and magnetic material permeabilities were simulated to show that this inductor greatly improves the inductance by up to 97% and quality factor by 18.6% over a multi-GHz frequency range. The results indicate that the inductor is a very promising and viable solution to realize miniature, high quality, and high frequency on-chip inductors for high-end RF ICs.

摘要：简述了TPMS的基本原理、发展现状和趋势。介绍了设计的一种应用于汽车电子领域的胎压传感器,该器件把压力传感器和温度传感器集成在一起,具有结构简单,系统温漂小和功耗低等特点。

摘要：介绍了一种利用MEMS工艺实现的用于射频领域的无源LC低通滤波器的设计、仿真和制作.该低通滤波器(LPF)采用三阶Chebyshev最少电容原型结构,设计参数为:一3dB带宽为3GHz,插入损耗小于2dB.基于MEMS无源元件(电容和电感)的集总物理模型,实现了对LPF实际性能的等效电路仿真,同时进行了版图和结构的验证.利用MEMS工艺实现的低通滤波器,其一3dB带宽和通带内插入损耗分别为2.925GHz和1.2dB(在1GHz下),制作工艺与标准CMOS工艺兼容.

摘要：给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFMEMS开关的设计和制作研究。分析表明，当开关的上电极为多支撑梁结构时，需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现，通过适当的参数选择，可以获得多谐振点开关。不仅可以在多个频段适用，并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RFMEMS开关，并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为：驱动电压为7V，“开”态的插入损耗为0．69dB@10．4GHz，“关”态的隔离度为30．8dB@10．4GHz，其微波性能在0～13．5GHz频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。

摘要：为了实现与现有集成电路工艺兼容的全硅基发光器件,提出了一种新型硅基垂直腔面光发射器件结构。它采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的非晶硅(或非晶氮化硅)/二氧化硅交替生长的多层薄膜结构为分布式Bragg反射器(DBR),以夹在上下两个Bragg反射器之间的非晶碳化硅薄膜为中间发光层。通过设计与模拟,分析了DBR中薄膜生长顺序与层数对器件性能的影响。最后研制出光致红光发射器件和电致蓝绿光发射器件,并给出了它们的光致和电致发光谱。结果显示了在光致和电致激发下非晶碳化硅的发光和DBR对光谱的限制增强作用。

摘要：研究了一种新型的谐振式硅微加速度传感器，对其结构和工艺进行设计，并制作出了一系列不同结构和尺寸的这种器件。该加速度传感器在制作支撑梁的同时制作了用于检测信号的谐振梁，并采用电阻热驱动、压阻桥同步检测的方法来获得信号输出。设计方案利用了压阻传感技术和体硅微加工技术，又拥有谐振原理所带来的高分辨率，高稳定性和易于与信号处理电路结合的优点，以较低的成本获得了很高的器件性能。其结构尺寸从３ｍｍ×４ｍｍ到６ｍｍ×６ｍｍ不等。

摘要：研究了基于SOI(silicononinsulator)工艺的压阻悬臂梁传感器的静态和动态特性,推导了其用于表面应力测量时灵敏度和分辨率的表达式.分析了各种参数对性能的影响,提出了参数设计与优化的流程.得到了一套灵敏度为-1·8×10-3m/N,分辨率为8·5×10-5N/m,弹性系数为0·023N/m,谐振频率为1·3×104Hz的设计参数.

摘要：为满足低电压ＣＭＯＳ晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求，提出０．５Ｖ栅衬互连ＧＢＣ（ｇａｔｅ－ｂｏｄｙｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）体硅ＭＯＳＦＥＴ工作模式。利用二维器件模拟，对栅长直到７０μｍ的器件结构设计、特性和器件物理研究。得到结果：０．５ＶＧＢＣ－ＭＯＳＦＥＴ具有陡直的亚阈特性（１０倍电流的Ｓ因子为～６０ｍＶ），高的电流驱动能力和理想的逻辑摆幅，栅衬泄漏电流可以忽略；超浅源漏、非均匀纵横向掺杂的Ｅｘｐｏｃ结构在ＧＢＣ模式下栅长直到５０ｎｍ时，仍有很好的Ｖｔｈ可控制性，这一结构的０．５ＶＧＢＣ－ＭＯＳＦＥＴ与１Ｖ常规ＭＯＳＦＥＴ在宽广的阈值电压设计空间中具有相似的速度品值；其理想栅氧厚度为３ｎｍ。

摘要：目的是为实现高灵敏度、集成化的微麦克风和扬声器奠定基础。利用锆钛酸铅（ＰＺＴ）铁电体具有的优良的力电耦合特性，提出将ＰＺＴ铁电薄膜与硅工艺相结合，研制悬臂式铁电—硅集成微麦克风和扬声器。利用双膜片模型对ＰＺＴ振膜结构进行了优化设计，并对其工艺流水过程进行了初步设计，从而为集成微麦克风和扬声器的最终实现奠定了设计基础。铁电—硅集成微麦克风和扬声器可望应用于多媒体语音输入及移动通信等方面。

摘要：设计并研究了一种硅基PZT压电悬臂梁驱动扫描微镜器件.这种扫描微镜采用单晶硅平面微镜面作为光扫描反射元件,由硅基压电复合弹性悬臂梁作为驱动机构控制水平微镜面偏转实现光信号的扫描.整个光扫描微器件可以阵列方式集成在单个硅芯片上,形成光扫描器阵列.采用数值有限元分析的方法模拟和优化了压电复合弹性悬臂梁驱动扫描微镜的力学性能.分析表明,微镜偏转角与压电悬臂长度和工作电压呈线性关系.在研究了影响光学扫描微镜机电性能各项因素的基础上,给出了器件结构优化的方法.