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沟槽栅IGBT结构参数设计与动、静态性能优化（英文）: 收藏
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引用; 《大功率变流技术》2017年第5期 16-20页; 作者：luther ngwendson 朱春林 Ian Deviny丹尼克斯半导体新型功率半导体器件国家重点实验室湖南株洲412001; 近年来,随着沟槽栅软穿通技术的发展,IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、载流子存储层、软穿通缓冲层等密切相关。在实际应用中,需根据不同的应用需求如低导通压降、低关断损耗或宽安全工作区性能等,对IGBT的综合...; 近年来,随着沟槽栅软穿通技术的发展,IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、载流子存储层、软穿通缓冲层等密切相关。在实际应用中,需根据不同的应用需求如低导通压降、低关断损耗或宽安全工作区性能等,对IGBT的综合性能进行优化设计。本文研究了沟槽栅IGBT的结构设计参数对器件性能的影响,并在此基础上探索了基于低电感应用条件的电动汽车IGBT的参数设计。; 来源：详细信息评论

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