摘要：整流器、时钟提取电路、调制电路和解调器等主要模块,符合ISO/IEC14443TypeB协议的非接触IC卡射频接口电路的基本构成,列举并分析了具体的电路实现形式。对于TypeB射频接口电路的设计具有参考和指导意义。

摘要：阐述了采用NI Technology公司的PXI总线协议接口主机箱PCI-8196和Excalibur公司的EXC-1553PCI/MCH板卡,实现基于1553B总线某型导弹的总体测试设计方案。较为全面地分析了航空总线1553B的特点、体系结构、总线特性和协议,具体阐述了基于1553B总线某型导弹测控平台的设计思想、系统结构、关键设计流程和软件编制流程。系统的研制成功,降低了研制成本,满足了某型导弹的实验测试需求,也为后续型号相关测试设备的研制提供了很好的基础。

摘要：以离心式压缩机气体流动的基本方程和能量损失机理为理论支撑,结合目前页岩气外输干线运行参数和三台压缩机实际运行工况,分析影响压气站经济运行的原因,并提出下一步调整建议措施。以离心式压缩机热力设计为基础,结合目前两个压气站实际运行参数,对压缩机设计进行探究,掌握离心压缩机设计的方法,为西南油气田公司储气库离心式压缩机组选型打下基础。

摘要：随着钢铁行业的快速发展,三加热段步进梁式加热炉应用越来越广泛。文章以山东临沂加热炉项目为例,基于西门子S7-400PLC监控软件,对三加热段步进梁式加热炉的运动控制系统进行了研究和分析,给出了控制方案和硬件系统组态图,绘制了相关控制流程图,并利用STEP7编程软件进行了软件设计。加热炉实际运行结果表明,运动控制系统设计方案在提高效率和监控可靠性等方面均有改善。

摘要：为改善油菜联合收获机梳脱滚筒的梳脱性能,提出并设计了一种凸轮滑道式油菜梳脱滚筒。从提高梳脱率和优化果荚抛送后割台收集率的角度出发,将梳脱拨指运动过程分为梳刷、抽离和缓冲摆动3个工作段,通过设定各工作段梳脱拨指的摆动规律,确定了凸轮滑道的曲线方程。以拨指没有摆动规律的圆滑道为对照,开展了梳脱滚筒梳脱性能试验,验证了凸轮滑道式梳脱滚筒的梳脱性能优于圆滑道梳脱滚筒,当喂料速度为0.6 m/s、滚筒转速为260 r/min时,凸轮滑道式梳脱滚筒的梳脱性能加权平均数达到峰值44.0%,比圆滑道最佳工况高10.7%。

摘要：提出了一种基片集成波导滤波器(SIW)的快速设计方法,减少全波仿真的优化次数,缩短设计时间。建立了SIW滤波器的等效电路模型,采用LC并联谐振器代表SIW谐振腔,采用移相器代表耦合窗口。通过电路级仿真优化使得等效电路模型的响应与SIW滤波器全波仿真结果一致,从而获取SIW滤波器各个谐振腔的谐振频率、各个耦合窗的耦合系数,并与目标值相比对进而得知SIW滤波器各个尺寸参数的优化方向。为验证该方法的有效性,设计了一款中心频率为21 GHz、带宽为1 GHz的6阶SIW滤波器。设计过程只需6次全波仿真即可得到较为理想的滤波器结果。

摘要：为了探究约束对2,4-二硝基苯甲醚(DNAN)基熔铸炸药点火反应特性的影响,设计了不同壁厚条件下单端点火试验和相同壁厚的爆轰试验;基于爆炸相似理论,通过对比爆轰试验与点火试验产生的冲击波超压,估算了炸药在点火试验中产生的等效反应药量。结果表明,DNAN基熔铸炸药在一般约束条件下(壁厚小于10mm),经黑火药引燃后仅发生燃烧反应;在强约束条件下(壁厚20、30、40及50mm)反应更为剧烈,但未发生典型的燃烧转爆轰过程,反应烈度为爆燃或爆炸级。DNAN基熔铸炸药发生反应的等效反应药量随着管体壁厚增大,爆炸百分比从23.9%依次增加至34.8%、77.3%及78.7%。可知在一定范围内增强约束条件,炸药燃烧进程会随之加快,反应更为剧烈,但当约束条件足够强时,这种促进作用将不再明显。

摘要：有效抛掷率是评价抛掷爆破岩体效果的重要指标。依据质点运动弹道学原理,推导出抛掷距离与炮孔倾角及炸药单耗的关系式,描述了各参数之间关系变化的趋势,并通过对黑岱沟露天煤矿抛掷爆破参数的分析,给出合适的炮孔倾角及采用铵油炸药时的炸药单耗范围,这对于指导露天煤矿抛掷爆破的设计具有一定实际意义。

摘要：针对自组织智能网络的离散序列,结合复杂体系自组织理论,提出了一种在线预测的方法。体系采用多智能体方法构造了自组织智能网络动态预测模型,设计了一种新型的多智能体仿真服务器和自组织可视化实验环境。经实验验证,当离散序列发生改变,环境可实现自组织的结构变化过程、并实时记录离散序列的预测结果。实验证明以预测准确度作为优选机制的自组织理论可以使自组织智能网络的体系结构发生动态变化。当叶子节点被激活时,体系结构的动态变化过程会渐渐停止,最终收敛至稳定结构,从而完成样本训练过程。再次输入经训练后样本时,相应的激活子链会被激活,从而仿生大脑认知结构。

摘要：目的研究非晶碳膜的压阻性能和机理,并将其作为压敏电阻应用于MEMS压力传感器敏感电路中。方法使用直流溅射工艺制备非晶碳膜压敏薄膜材料,对典型样品进行内部组分和电学、力学、温度等性能测试和研究,使用有限元方法进行器件设计仿真,借助MEMS加工工艺完成非晶碳膜压力传感器芯片的加工,最后进行器件级别的测试和分析。结果在0~1 MPa范围内,压力传感器芯片的灵敏度为9.4μV/kPa,输出信号的非线性度为5.57%FS;对压敏电阻进行–70~150℃范围内的温度性能研究,其阻值与温度之间表现出较强的线性关系,且在–20~150℃段,线性度更强,表明非晶碳膜压敏材料在高温段应用时更容易补偿。机理研究方面,非晶碳膜在厚度方向上表现出组分差异化,因此该方向也应被纳入机理模型建立中。结论非晶碳膜在加工工艺、力学性能以及电学性能上与传统的MEMS传感器芯片能够很好地结合,加工得到的非晶碳膜压阻式压力传感器灵敏度和线性度较为理想。此外,其压阻机理研究应纳入薄膜厚度方向。