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VDMOS晶体管中准饱和效应的研究
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《微电子学》1989年 第4期19卷 43-39页
作者：mohamed n.darwish 黄绍青 
本文详细研究了VDMOS晶体管中的准饱和效应。研究表明,这种效应是由于器件的结型场效应晶体管区域内载流子速度饱和所引起。为了研究准饱和效应及其与不同的器件设计参数的关系,我们进行了两维数字模拟。大范围的电压和电流实验结果证...
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