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选用恰当的超低静态电流低压降稳压器
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《今日电子》2013年 第4期 41-42,46页
作者:pawel holeksa安森美半导体 
静态电流相同或极接近的超低静态电流LDO的动态性能可能差异很大。有两项主要因素决定了这些器件的动态性能。一是使用的半导体工艺,大多数当今LDO使用先进的CMOD或BiCMOS技术制造;二是LDO设计中应用的技术。
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