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  • 1篇后栅偏压可调
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机构

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作者

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检索条件"作者=Peter Hang"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
在格芯22 FDSOI中后栅偏压可调及对模拟电路设计PPA优势
收藏 引用
《中国集成电路》2017年 第10期26卷 32-37页
作者:祝晓波 peter hang 张弛 Don Blackwell Vijay KanagalaGLOBALFOUNDRIESU.S.Inc. 
格芯GLOBALFOUNDRIES 22FDX~(22nm FDSOI)工艺是一个差异化的工艺,它能有Fin FET工艺那样的性能,也能有28nm工艺设计技术上的简单和成本优势。这个工艺所具有的后栅偏压可调(back-gate bias)的功能及其优化功耗、性能和面积(Power,Per...
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第二配位层磺酸根在电催化析氢反应中的作用
收藏 引用
《Chinese Journal of Catalysis》2023年 第2期45卷 88-94页
作者:王妮 张学鹏 韩金秀 雷海涛 张清鑫 张航 张伟 Ulf-peter Apfel 曹睿陕西师范大学化学与化工学院应用表面与胶体化学教育部重点实验室中国陕西西安710119 波鸿鲁尔大学化学与生物化学学院德国 弗劳恩霍夫环境、安全与能源技术研究所德国 
析氢反应涉及电子和质子转移过程,即PCET过程,需要较大的过电势才可以驱动析氢反应发生.因此,合成过电势低,活性高的催化剂成为研究热点.自然界中,铁铁氢化酶可以将质子高效地还原成氢气.经研究,铁铁氢化酶的结构中有一个氨基基团位于...
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