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检索条件"作者=QIN JunRui"
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A novel layout for single event upset mitigation in advanced CMOS SRAM cells
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《Science China(Technological Sciences)》2013年 第1期56卷 143-147页
作者:qin junrui LI DaWei CHEN ShuMingSchool of Computer ScienceNational University of Defense Technology 
A novel layout has been proposed to reduce the single event upset(SEU) vulnerability of SRAM *** 3-D technology computer-aided design(TCAD) simulation analyses show that the proposed layout can recover the upset-state...
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3-D TCAD simulation study of the single event effect on 25 nm raised source-drain FinFET
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《Science China(Technological Sciences)》2012年 第6期55卷 1576-1580页
作者:qin junrui CHEN ShuMing CHEN JianJunSchool of Computer ScienceNational University of Defense TechnologyChangsha 410073China 
Using Technology Computer-Aided Design(TCAD) 3-D simulation,the single event effect(SEE) of 25 nm raised source-drain FinFET is *** on the calibrated 3-D models by process simulation,it is found that the amount of cha...
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The off-state gate isolation technique to improve ASET tolerance in differential analog design
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《Science China(Technological Sciences)》2013年 第10期56卷 2599-2605页
作者:HU ChunMei CHEN ShuMing CHEN JianJun qin junruiCollege of Computer National University of Defense Technology 
A novel off-state gate RHBD technique to mitigate the single-event transient(SET)in the differential data path of analog circuit is demonstrated in this *** results present that this off-state gate technique could exp...
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Research on single event transient pulse quenching effect in 90 nm CMOS technology
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《Science China(Technological Sciences)》2011年 第11期54卷 3064-3069页
作者:qin junrui CHEN ShuMing LIU BiWei CHEN JianJun LIANG Bin LIU ZhengSchool of Computer Science National University of Defense Technology Changsha 410073 China 
Since single event transient pulse quenching can reduce the SET(single event transient) pulsewidths effectively,the charge collected by passive device should be maximized in order to minimize the propagated *** the pe...
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25nm鱼鳍型场效应晶体管中单粒子瞬态的工艺参数相关性
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《国防科技大学学报》2012年 第5期34卷 127-131页
作者:李达维 秦军瑞 陈书明国防科技大学计算机学院湖南长沙410073 
基于TCAD(Technology Computer-Aided Design)3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管(Fin Field Effect Transistor,FinFET)中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重要工艺参数的起伏会对电荷收集产生显著影响,从而影响到电...
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模拟不同节理粗糙度对单裂隙渗流的影响
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《应用力学学报》2020年 第1期37卷 455-462,I0032页
作者:覃源 张鑫 柴军瑞 曹成西安理工大学西北旱区生态水利工程国家重点实验室西安710048 金华市水利水电勘测设计院有限公司金华321017 
在研究岩体裂隙间的渗流特性时,节理粗糙度会影响裂隙水流的渗流特性和路径,因此需要对粗糙表面进行恰当的描述。本文选取伸长率、最大起伏高度、最大起伏角和分维数4个参数刻画粗糙度。结合分维数的计算方法,选择当最大起伏高度为2.5m...
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冷缝存在条件下混凝土力学性能试验研究
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《排灌机械工程学报》2023年 第7期41卷 677-681,688页
作者:覃源 梁达 王玉龙 柴军瑞 周恒西安理工大学水利水电学院陕西西安710048 中国电建集团西北勘察设计研究院有限公司陕西西安710065 
存在于混凝土中的冷缝,直接影响混凝土结构的整体性能.通过对不同龄期间隔的冷缝,及不同弹性模量混凝土叠合形成的带冷缝的混凝土进行抗压和劈拉试验,研究其力学性能的变化规律.试验结果表明:带冷缝混凝土试件整体抗压强度及冷缝黏结面...
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初始缺陷对非均质SFRCC单向受拉特性影响细观分析
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《功能材料》2024年 第11期55卷 11164-11173页
作者:康冠英 柴军瑞 杨毅 覃源 王文杰 曹靖 苏江霞西安理工大学省部共建西北旱区生态水利国家重点实验室西安710048 西京学院陕西省混凝土结构安全与耐久性重点实验室西安710123 中煤科工西安研究院(集团)有限公司西安710061 宁夏水利水电勘测设计研究院有限公司银川750004 
初始缺陷会对钢纤维增强水泥基复合材料(SFRCC)的力学性能产生较大影响。通过参数化语言,建立了由钢纤维、水泥砂浆基体及界面过渡区构成的二维SFRCC模型,布置了界面、砂浆、表面和三处同时存在的四种初始缺陷类型,并结合Weibull分布函...
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无砟轨道道床断裂影响分析及机械化整治技术研究
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《机械设计与制造工程》2020年 第9期49卷 69-72页
作者:黄嘉 王君瑞 孟蝶 李勤成都地铁运营有限公司四川成都610031 中铁成都轨道交通健康管理技术有限公司四川成都610032 
对某普通纵向承轨台短轨枕无砟轨道道床断裂伤损特征、轨道静态几何形位和机械化整治技术进行了分析研究。通过现场调研,明确了道床断裂伤损特征,其伤损主要表现为道床横向断裂/掉块/露筋、钢轨波磨/擦伤、轨枕纵向断裂/松动、道床下部...
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