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对DRAM结构中影响良率的缺陷进行监控
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《集成电路应用》2006年 第9期23卷 38-41页
作者：UweStreller CarlosMata qimondaag MartinTuckermann KLA-TencorGmbHMartin Tuckermann KLA-Tencor GmbH 
使用新型高分辨率暗视场检测概念可以成功地对高深-宽比结构中的残余物和浅沟槽隔离氧化物孔洞进行监控。通过与精确工艺步骤的紧密结合,可实现对潜在误差的快速响应并缩短学习周期。
来源：详细信息评论
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