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采用高级3.3kV IGBT3芯片技术并具有高机械性能的高功率IGBT模块: 收藏
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引用; 《电力电子》2009年第1期7卷 38-41,37页; 作者：Th.Stolze J.Biermann r.spanke M.Pfaffenlehner英飞凌科技股份公司; 新型功率电子器件通常要求更高的功率密度、可靠性和更简单的封装形式;具有比现有产品更高的芯片热效率和电气效率,以及更高的健壮性和模块可靠性,同时兼容现有的设计,已成为最新模块开发的目标。; 新型功率电子器件通常要求更高的功率密度、可靠性和更简单的封装形式;具有比现有产品更高的芯片热效率和电气效率,以及更高的健壮性和模块可靠性,同时兼容现有的设计,已成为最新模块开发的目标。; 来源：详细信息评论

具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3.3kV IGBT3芯片技术: 收藏
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引用; 《电力电子》2010年第1期8卷 69-72页; 作者：Th.Stolze J.Biermann r.spanke M.Pfaffenlehner英飞凌科技股份公司; 本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率...; 本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率。本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究。; 来源：详细信息评论

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