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新型压接式IGBT模块的结构设计与特性分析: 收藏
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引用; 《机车电传动》2013年第1期 10-13页; 作者：窦泽春 rupert stevens 忻兰苑刘国友徐凝华株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心; 介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其电气性能特点,展示了其良好的特性以及广阔的应用范围。; 介绍了一种新型压接式绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT)模块的内部结构设计,分析其相对于传统IGBT模块的优势,并通过静态和动态测试分析了其电气性能特点,展示了其良好的特性以及广阔的应用范围。; 来源：详细信息评论

高功率密度IGBT模块的研发与特性分析: 收藏
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引用; 《机车电传动》2014年第2期 6-11页; 作者：刘国友覃荣震黄建伟 Ian Deviny 罗海辉 rupert stevens 吴义伯株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心; 基于现有标准DMOS设计技术,通过优化高压IGBT&FRD芯片及其模块结构,降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻,改善模块散热,提高最高工作温度。研究开发了高功率密度1 500 A/3 300 V、1 200 A/4 500 V及750 A/6 500 V IGBT模块,满足...; 基于现有标准DMOS设计技术,通过优化高压IGBT&FRD芯片及其模块结构,降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻,改善模块散热,提高最高工作温度。研究开发了高功率密度1 500 A/3 300 V、1 200 A/4 500 V及750 A/6 500 V IGBT模块,满足轨道交通的应用要求。; 来源：详细信息评论

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