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用于OEIC的InP MIsFET的研制: 收藏
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引用; 《功能材料与器件学报》2000年第3期6卷 297-300页; 作者：陈朝傅仁武陈松岩刘宝林 s.a.malyshev厦门大学物理系 Instituteof ElectronicsBelarus Academy of SciencesBelarusMinsk220090; 用MOCVD方法生长了n＋－InP/n－InP/sI－InP材料，以HfO2为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMIsFET。直流特性测量表明，跨导gm=80－115ms/mm，开启电压VT－3.62V，沟道...; 用MOCVD方法生长了n＋－InP/n－InP/sI－InP材料，以HfO2为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InPMIsFET。直流特性测量表明，跨导gm=80－115ms/mm，开启电压VT－3.62V，沟道的有效电子迁移率ueff=674cm2/V·s，界面态密度Nss=9.56×1011cm－2。设计计算的特征频率fT97.1GHz，最高特征频率fmax64.7GHz，尚未发现器件性能的漂移现象。本器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分。; 来源：详细信息评论

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