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电环形谐振腔表面几何参数对太赫兹超材料吸收体性能的影响（英文）: 收藏
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引用; 《中国光学》2018年第1期11卷 47-59页; 作者：GOMON Daniel sedykh egor RODRíGUEZ Sebastian IDELFONSO Tafur Monroy ZAITSEV Kirill VOZIANOVA Anna KHODZITSKY MikhailITMO大学俄罗斯圣彼得堡197101 埃因霍温技术大学荷兰埃因霍温鲍曼莫斯科国立技术大学俄罗斯莫斯科105005; 本文分析了电环形谐振腔的几何参数对超材料吸收体吸收率的影响。文中详细分析了电环形谐振腔参数、介电层(间隔物)厚度和电环形谐振腔厚度对超材料吸收体的影响,在此基础上,设置正交实验分析了几种参数的综合影响,最终获得超材料的理...; 本文分析了电环形谐振腔的几何参数对超材料吸收体吸收率的影响。文中详细分析了电环形谐振腔参数、介电层(间隔物)厚度和电环形谐振腔厚度对超材料吸收体的影响,在此基础上,设置正交实验分析了几种参数的综合影响,最终获得超材料的理论吸收率。根据上述结果,制备了2个超材料吸收体的原理样机,经实验测得,原理样机的窄带吸收率高于98%。本文的研究成果为高性能吸收器的设计提供了指导。; 来源：详细信息评论

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