摘要：Based on Fermi’s golden rule and the theory of Boltzmann collision term approximation, the hole scattering mechanism ofstrained Si/(111)Si1 xGexwas established, including ionized impurity, acoustic phonon, non-polar optical phonon and totalscattering rate models. It was found that the total scattering rate of the hole in strained Si/(111)Si1 xGexdecreased obviouslywith the increasing stress when energy was 0.04 eV. In comparison with one of the unstrained Si, the total hole scattering rateof strained Si/(111)Si1 xGexdecreased about 38% at most. The decreasing hole scattering rate enhanced the hole mobility instrained Si materials. The result could provide valuable references to the research on hole mobility of strained Si materials andthe design of PMOS devices.

摘要：基于RBF神经网络的设计难点提出了一种动态确定隐含层节点数及数据中心的新方法,即动态最近邻聚类算法,消除了现有算法中人为因素对数据中心的影响。所设计的神经网络具有最少的隐含层节点数,结构简单,提高了网络学习训练速度,基于动态RBF神经网络建立了MH-Ni电池容量预测模型,通过仿真,取得了理想的结果,为MH-Ni电池容量预测提供了新方法。

摘要：结合滚动轴承的振动特性，根据高聚物复合材料的应变－应力迟滞响应，对钢和高聚物复合材料夹层结构进行了减振降噪分析，文中还给出了振动测试的结果，从而进一步证实了这种结构具有较强的减振降噪能力，为在工程中的设计应用提供了理论依据。国内外文献中未见以钢和高聚物夹层结构作滚动轴承外圈的报道。

摘要：建立增速齿轮箱动力学分析有限元模型,利用Lanczos法求得齿轮系统的振动模态;以齿轮副时变啮合刚度激励、齿面综合误差激励和轮齿啮合冲击激励为内部作用激励,采用直接积分法求得箱体表面节点的动态响应。选取箱体上12个主要结构参数作为动力学性能优化的设计变量,齿轮箱体积为状态变量,以齿轮箱表面振动加速度的均方根值最小为动力学性能优化的目标函数,利用零阶与一阶优化算法求得最优设计变量。结果表明:优化前后箱体均不产生共振,且满足静力学条件;优化后目标函数减小37.5%,箱体各计算点的振动响应均有较大幅度的减小,最大减小量为54%。

摘要：应变SiCMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(001)Si1-XGeX(X=0.1～0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:应变消除了价带带边和导带带边的简并度;应变几乎没有改变电子有效质量,而沿[100]方向空穴有效质量随着Ge组份的增加而显著变小;导带劈裂能、价带劈裂能、禁带宽度与Ge组份X的拟合结果都是线性函数关系。以上结论为Si基应变MOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据。

摘要：利用应变Si1-xGex技术提高空穴迁移率是当前国内外关注的研究领域和研究发展重点。基于KP理论框架,研究获得了应变Si1-xGex/(001)Si材料沿不同晶向及各向同性空穴有效质量。结果表明,应变Si1-xGex/(001)Si带边[1-11]、[001]、[1-10]、[-110]和[100]晶向空穴有效质量在压应力的作用下变化明显,其各向异性更加显著。此外,当Ge组份较大时,带边和亚带边空穴各向同性有效质量接近,传统的"重空穴"和"轻空穴"概念失去意义。价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该研究成果为Si基应变pMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据。

摘要：应变Si材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明:[001]、[001]方向能谷构成了张应变Si导带带边,其能量值随Ge组分的增加而变小;导带劈裂能与Ge组分成线性关系;价带三个带边能级都随Ge组分的增加而增加,而且Ge组分越高价带带边劈裂能值越大;禁带宽度随着Ge组分的增加而变小。该模型可获得量化的数据,对器件研究设计可提供有价值的参考。

摘要：应变SiCMOS技术是当前国内外研究发展的重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。基于(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的价带E(k)-k关系模型,研究获得了[100]和[001]晶向的价带结构及相应的空穴有效质量。结果表明,与弛豫材料相比,应变引起了应变Si/(001)Si1-xGex价带顶的劈裂,且同一晶向族内沿[001]和[100]两个晶向的价带结构在应力的作用下不再对称,相应的空穴有效质量随Ge组份有规律地变化。价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该结论为Si基应变PMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据。

摘要：以抗病纯合体(Sm/Sm)、抗病杂合体(Sm/sm)和感病纯合体(sm/sm)番茄为试验材料,以提取的基因组DNA为模板,根据与抗病基因Sm紧密连锁的RFLP标记设计特异引物进行PCR扩增,对扩增产物进行序列分析寻找酶切位点,采用限制性内切酶酶切的方法,创建新的与番茄灰叶斑病抗病基因Sm紧密连锁的CAPS标记,以期为今后番茄抗病育种工作提供技术支撑。结果表明:创建的T050标记稳定、可靠,是一个共显性分子标记,可用于番茄抗病育种的辅助选择中。

摘要：合理的热设计是关系到电子设备能否稳定工作的重要因素之一。文章介绍了用热设计理论和经验公式对录井仪器中的烃组分分析机箱进行热分析和热设计,对计算结果进行优化。并通过实际数据验证了设计结果的正确性和合理性。