摘要：为满足GREGOR望远系统末端的测试需求,实现对某些荧光光谱干扰信号的有效过滤和屏蔽,在可见光范围内设计并制备了一种高透射深截止多腔负滤光片。采用变迹函数不同级次的高阶迭代算法,通过设计厚度调制层来有效抑制通带波纹;在B270基底上采用离子束辅助反应磁控溅射的沉积方法进行制备,使用光控法和时间控制法相结合的方案对非四分之一膜层厚度进行监控。实验结果表明,实际制备结果与理论设计吻合较好,制备工艺可行性较高。所设计的多腔负滤光片膜系结构总层数为190层,总厚度约为20μm,测得各通带透射率均大于90%,截止深度大于0.1%,反射带半峰全宽小于24 nm,最大位置偏差为2 nm,样品的均匀性良好,测试结果完全满足实际应用需求。

摘要：采用氢气为辅助气体,在不同氢气流速下用微波等离子体辅助脉冲直流磁控溅射系统制备碳化硼薄膜。碳化硼薄膜的设计厚度为1200 nm,过渡层非晶硅的设计厚度为500 nm。所用的基板为载玻片、Ge、Si、Si wafer、GaAs和JGS3。之后,采用傅里叶红外光谱(FT-IR),X射线衍射(XRD)、维氏硬度计(Vicker indenter),分析了氢气流速(0、3、7和10 mL/min)对碳化硼薄膜的光学性质和机械性质的影响。结果表明,氢气流速的增加,可以明显提高红外光学透过率,降低红外光光吸收率。与此同时,氢气的增加还能降低薄膜应力,使薄膜易于附着在基底上。然而,氢气也会使得碳化硼薄膜硬度降低。

摘要：为了研究离子束抛光KDP晶体工艺参数对表面粗糙度的影响,实现对KDP晶体的抛光,文中使用微波离子源对KDP晶体进行抛光加工,采用非接触式表面轮廓仪对抛光后晶体的表面粗糙度进行测量。基于离子束溅射模型分析离子束水平入射角对抛光结果的影响,并结合实验进行验证;通过实验研究离子束入射能量、氩气流量和抛光时间对抛光结果的影响;根据工艺参数对抛光结果的影响特性设计正交实验,探索离子束刻蚀抛光KDP晶体最优工艺。研究结果表明:抛光后的晶体表面粗糙度随着离子束水平入射角的增大而降低;对于入射离子束能量,抛光后的晶体表面粗糙度在200~400 eV范围内有下降趋势,其中在400 eV出现最小值,当入射能量进一步提高时,表面粗糙度将逐渐变大。对于氩气流量,在氩气流量为20~30 sccm范围内出现粗糙度最小值,随着氩气流量进一步增大,粗糙度变大。对于加工时间,抛光时间由22 min增大到44 min时,表面粗糙度有所降低,随着加工时间继续增大,粗糙度变大,表面朝恶化趋势发展;离子束抛光KDP晶体最佳工艺参数为:离子束压400 eV,氩气流量25 sccm、抛光时间44 min,将尺寸为50 mm×50 mm的KDP晶体表面粗糙度Sq由2.50nm降低到1.68 nm。