摘要：设计了一种适用于3.1～5 GHz的超宽带（UWB）低噪声放大器（LNA）。该LNA具有平展高增益特性。设计采用两级结构,每一级采用不同的谐振负载,第一级谐振频率为3.1 GHz,第二级为5 GHz,进而产生平展高增益。设计中,采用前馈技术消除输入MOS管的沟道热噪声。电路采用65 nm CMOS工艺实现。测试结果表明,该LNA增益高达21.3 dB,功耗仅为8 mW。

摘要：To T(Time-over-Threshold)读出策略是在PET成像中利用信号的时间宽度同时获取能量和时间信息的方法。基于To T的前端读出电路具有简单、高效、功耗低、面积小的优点。采用0.35μm CMOS工艺,设计并实现了基于To T的低噪声16通道PET成像前端读出ASIC芯片。为了实现低噪声,在电荷灵敏放大器中采用了输入管尺寸匹配技术,在成形器中采用了低噪声放大器。为了提高响应速度,在电压甄别器中采用了预放大和箝位推挽输出结构。芯片的测试结果表明,能量输入范围为3.5~56 f C,等效噪声电荷为211.4 e^-+16.0 e^-/p F,能量与输入电荷之间的非线性误差小于2%,单通道功耗为1.82 m W。与现有电路相比,该芯片的噪声降低了56.4%,在PET成像系统中具有广阔的应用前景。

摘要：混合信号VLSI芯片的单片特性验证是此类芯片的设计难题之一。针对典型的混合信号VLSI芯片——单片集成薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片,设计了一种能够直观模拟液晶显示的系统级验证平台,并利用此验证平台验证了系统架构的正确性。还针对此芯片的设计特点,结合系统验证平台为整个设计流程的各个阶段提出了不同的验证策略。通过对这些策略的配合使用,对芯片特性进行了全面验证,包括模块级验证、芯片级验证以及物理验证。该验证策略具有高效、直观、可靠等特点。

摘要：A two-stage driving circuit of a one-chip TFT-LCD driver IC for portable electronic devices is proposed. The driving buffers of the new circuit are built in the γ-correction circuit rather than in the source driver. The power consumption,die area, and driving capability of the driving circuit are discussed in detail. For a two-stage driving circuit with 13 driving buffers, the settling time of the driving voltage within 0.2% error is about 19.2μs when 396 pixel-loads are driven by the same grayscale voltage. The quiescent current of the whole driving circuit is 518μ~A,and the power consumption can be reduced by 77%. The proposed driving circuit is successfully applied in a 132RGB × 176-dot,260k color one-chip driver IC developed by us for the TFT-LCD of mobile phone, and it can also be used in other portable electronic devices, such as PDAs and digital cameras.

摘要：在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0·25μmCMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8^+16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0·4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求.

摘要：设计了一种采用0·25μmCMOS低压/中压/高压混合电压工艺的TFT-LCD驱动芯片内置电源电路IP核.该IP模块包括低压降线性稳压电路、电荷泵升压/反压电路、VCOM驱动电路和VGOFF驱动电路等,能够提供驱动芯片的系统工作电压和TFT-LCD的驱动电压.所产生的电压值可实现编程控制,具有启动时间快、工作稳定和较低的温度系数等特点.仿真与测试结果表明,在上电200ms后能够生成稳定、正确的输出电压.电源电路模块的总静态功耗小于2mW.

摘要：采用TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计了CZT探测器低噪声读出电路链和一款多通道能量读出ASIC,该电路将应用于8×8CZT像素探测器的能量读出。给出了系统框图及低噪声能量读出电路链,分析了低噪声技术策略。实验结果表明,能量分辨范围为20keV～4MeV,等效噪声电荷(ENC)小于150个电子,电荷转电压增益为9.2V/pC,非线性度小于3%,多通道串扰小于10个电子,满足设计需求。

摘要：设计了一种用于投射式电容触摸屏的新型触摸信号检测方案和触控芯片。采用差分驱动单端感应方法,检测手指触摸导致的互电容变化。该方案可完全消除鬼点,并实现多点触摸的检测。触控芯片的信噪比为23.2dB,采用0.13μm CMOS工艺制造,芯片尺寸为1.8mm×2.0mm。芯片模拟和数字电路的工作电压分别为3.3V和1.8V,动态和静态电流分别为450μA和45μA。

摘要：在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命。针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度。加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求。这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM。

摘要：针对TFT-LCD驱动控制芯片内置图形SRAM中具有数千位数据吞吐能力的显示驱动端口操作时引入的电压"风暴"问题和强烈寄生效应导致的TCON读出端口读数速度下降问题,提出分时分次的读出方案和灵敏放大器分段放大技术,并完成了电路和版图设计。电路后仿真结果表明,最大读出操作周期为13 ns,峰值电流小于400 mA,整个SRAM电路性能达到设计指标要求。设计结果已成功应用于自主研发的TFT-LCD驱动控制芯片—"龙腾T2"中。