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漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的研制
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《电子学报》2001年 第2期29卷 164-167页
作者：张盛东 韩汝琦 tommylai JohnnySin北京大学微电子学研究所北京100871 香港科技大学电机电子工程系 
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法 .在Si膜厚度为 0 15 μm、隐埋氧化层厚度为 2 μm的SOI硅片上进行了LDMOS晶体管的制作 .首次对薄膜SOI功率器件的击穿电压与线性掺杂漂移区的杂质浓度梯度的关系进行了实验...
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