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65nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法: 收藏
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引用; 《计算机辅助设计与图形学学报》2008年第5期20卷 577-584页; 作者：熊伟张进宇 tsai min-chun 王燕余志平清华大学微电子学研究所北京100084 Advanced Technology GroupSynopsys Inc.Mountain ViewCA94043 USA; 在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法.该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率.实验结果表明,在65...; 在模拟退火算法中引入了准梯度的概念,改进了以模拟退火算法为基础的光刻掩模版优化算法.该算法优先搜索由准梯度确定的关键区域,减少了模拟退火算法的无效搜索次数,在保证优化效果的基础上,可以提高原算法的收敛效率.实验结果表明,在65nm CMOS工艺节点下,该算法使得收敛速度大幅提高,优化效果更好.; 来源：详细信息评论

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