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检索条件"作者=U.Schlapbach"
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应用于工业牵引的软穿通IGBT技术的大功率模块
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《变频器世界》2007年 第10期 58-61,57页
作者:M.Rahimo A.Kopta R.Schnell u.schlapbach R.Zehringer S.Linder 苑莉ABB Switzerland LtdSemiconductors 
随着1700V-SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为了进一步开发利用新的1700V- SPT IGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值为2400A,封装形式为E1和E2工业标准模块。我们在长期高可...
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工业牵引应用的采用软穿通IGBT技术的大功率模块
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《电力电子》2007年 第1期5卷 39-43页
作者:M.Rahimo A.Kopta R.Schnell u.schlapbach R.Zehringer S.Linder 苑莉 
随着采用1700V-SPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型,和为了进一步开发利用新的1700V-SPTIGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值为2400A,封装形式为"E1"和"E2"工业标准...
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高压IGBT应用中用作过电压保护的开关自箝位模式“SSCM”
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《电力电子》2006年 第3期4卷 50-55页
作者:M.Rahimo A.Baschnagel A.Kopta E.Carroll 尤金霜ABB Switzerland U.Schlapbach 北京金自天正公司 
本文介绍高压SPT(软穿通)-IGBT器件的开关自箝位模式,并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一...
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