摘要：当锚索、注浆体和围岩体的强度确定并满足设计要求时,拉力型锚索承载力的发挥主要受控于锚固段锚杆体与注浆体界面及注浆体与围岩体界面上的抗剪强度。根据西江特大桥两岸边坡现场锚索的极限抗拔试验确定锚索的破坏荷载,通过计算分析认为注浆体与围岩体界面上的抗剪强度不足是导致锚索失效的原因。研究认为,注浆体与围岩体界面抗剪强度与浆体的抗剪强度、单轴抗压强度、弹性模量以及注浆压力成正比,与注浆材料的水灰比成反比。拉力型锚索在施工时,浆体配制、钻孔、注浆等每一工艺都应该严格控制。

摘要：青海省气候复杂多变,环境严峻,紫外辐射强度高,给普通环氧树脂胶料铺筑的薄层罩面路面带来了严峻的挑战,为此,通过对环氧树脂进行复合增韧改性及抗紫外线老化改性,采用正交设计方法,研究了影响因素环氧树脂和聚氨酯改性环氧树脂的质量比、碳黑掺量以及短切玻璃纤维的最优掺量。试验结果表明:综合低温韧性、拉拔强度和抗紫外线老化性能,适宜的配合比为:聚氨酯改性环氧树脂和E51环氧树脂的质量比为1.5∶1.0,碳黑掺量为3%,短切纤维掺量为1%。

摘要：面向船舶智能制造的工艺过程,针对传统工艺数据库设计流程,提出一种改进优化设计方法,主要有3点:提出9要素分析法,将船舶智能制造中的工艺数据要素分为9种;基于9要素分析法,设计通用概念结构图模型;根据实际工艺过程的特点,在逻辑结构设计中提出2种优化方法,降低数据库的复杂度,解决数据冗余和数据库读写频繁等问题。为验证提出的优化方法的可行性和适用性,针对船舶智能制造中的装配工艺过程,设计装配工艺数据库接口系统。

摘要：为了实现嵌入式网络接口控制系统,提出了基于网络接口芯片AX88180与TMS320F2812DSP控制芯片的嵌入式解决方案。完成了该系统的硬件设计与软件实现方案。嵌入式网络控制系统硬件组成包括DSP处理器、FPGA控制器、以太网控制器AX88180芯片、物理层控制器88E1111芯片、网络控制接口等主要部分,其中TMS320F2812DSP处理器负责通信协议控制,FPGA处理器完成网络数据与并行总线数据之间的转换,并控制SRAM芯片的读写操作,AX88180芯片负责对网络接口的数据格式转换,DSP与FPGA之间采用SRAM进行数据交换。实验结果表明,在网络通信速度为1Gb/s,通信频率为100Hz/s的情况下,系统工作稳定。

摘要：Visual Basic程序设计是一门实践性比较强的课程。针对Visual Basic程序设计课程的教学目标和学生的特点,设计任务线索将关键知识点有机结合,通过任务实施和课程评价可促进学生综合素质能力提升,构建形成良好教学氛围和师生关系,有效增强课堂教学效果。

摘要：砾类土是新疆铁路和公路常用的路基填料,为了控制和减小砾类土路基的沉降,首先需要明确各因素对该类路基在循环荷载作用下的变形影响规律。通过动三轴试验研究围压、初始静偏应力、循环荷载作用频率、循环荷载大小和固结比对砾类土累计塑性变形的影响规律,得出其累计塑性应变随着初始静偏应力、循环荷载大小的增加而增大,随着围压、荷载作用频率和固结比增加而减小。同时计算各影响因素对累计塑形应变的极差,得出影响因素对累计塑形应变影响的大小。在路基施工时,可以通过提高路基的围压,同时使路基充分固结来减小路基的营运沉降。提出一种针对砾类土应变较小时的塑性累计变形模型,并验证模型的正确性,可为新疆砾类土路基的设计和施工提供参考。

摘要：近年来，造纸企业为了提高生产效率，降低成本，纷纷要求进一步优化造纸织物的性能，同时，由于使用了废纸、助留剂、助滤剂和填料，使书刊纸的抄造过程变得更加复杂。因此，控制成形网、毛布和干毯等的污染变得尤为重要，高速纸机更是如此。对造纸织物最有效的清洗方法是同时考虑织物设计、喷淋和化学清洗。织物供应商通过对回收的旧织物进行分析，以确定污物的具体类型和位置．对控制或去除污物方面起重要作用。

摘要：阿尔及利亚粮食仓储物流是以进口粮食为主。粮食入港后,以东部、中部、西部3大区域为主体而形成北粮南运的辐射网络。但港口卸船能力的不足,公路运输和铁路运输物流区域间调配不均以及粮食仓储设施不能满足日益增加的粮食安全需求。

摘要：针对某伽马射线探测器受到振动冲击后敏感器件损坏严重的问题进行减振设计,研究减振器阻尼层尺寸参数对整体固有频率和抗冲击性能的影响,以及薄壁结构基座对抑制振动和冲击传递的影响;进而采取设计减振器、合理选取阻尼层尺寸参数、增加二级阻尼缓冲减振和改进薄壁结构的措施完成减振设计;最后通过仿真和试验验证减振设计的合理性。研究表明:减振器能够降低结构刚度,对冲击产生大幅度衰减作用;阻尼层直径是提高抗冲击性能的主要因素,探测器整体固有频率和冲击响应均随阻尼层直径的增加而减小;薄壁结构基座对激励有放大作用,可以通过调整局部结构降低冲击响应;二级阻尼缓冲减振设计对关键器件有较好的减振功效,尤其是在低频段。该研究可为有结构限制要求的航天器的冲击减振设计提供参考。

摘要：设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1700 V/10 A SiC功率MOSFET样品的制备。测试结果表明,MGM-FLR结构有效调制并优化了结终端区域的表面电场强度分布,SiC MOSFET漏电流为1μA时最大击穿电压达到2400 V,为理想平行平面结击穿电压的91%。器件的比导通电阻约为36 mΩ·cm^2,阈值电压为2.9 V。对制备的SiC功率MOSFET进行了150℃、168 h的高温反偏(HTRB)可靠性测试评估,实验前后的击穿电压变化量不超过100 V,初步验证了MGM-FLR结终端结构的鲁棒性和可行性。