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半导体非线性光学材料的第一性原理研究: 收藏
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引用; 《功能材料》2007年第A1期38卷 334-336页; 作者：姜晓庶 walterr．l．lambrecht山西大学物理电子工程学院山西太原030006 Physics Department Case Western Reserve University Cleveland Ohio USA; 通过第一性原理研究Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族CKP半导体中的CdSiAs2，计算了其双折射性，量化了双折射性同应力的线性关系，它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料。计算显示，少量的参杂Ge（〈5％）...; 通过第一性原理研究Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族CKP半导体中的CdSiAs2，计算了其双折射性，量化了双折射性同应力的线性关系，它的负双折射性使之能够通过应力、温度调节以及同CdGeAs2混合来设计非临界位相匹配材料。计算显示，少量的参杂Ge（〈5％），能够实现非临界位相匹配I类二次谐波产生（SHG）在CO2激光谱线范围可调谐，它可能具有很高的有效χ^（2）。; 来源：详细信息评论

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