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Data-driven Viewpoint for Developing Next-Generation Mg-Ion Solid-state Electrolytes
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《Journal of Electrochemistry》2024年 第7期30卷 38-49页
作者:Yang F.-L. Sato R. Cheng E.J. Kisu K. wang q. Jia X. Orimo S.-I. Li H.Advanced Institute for Materials Research (WPI-AIMR) Tohoku University Sendai 980-8577 Japan College of Physics Sichuan University Chengdu 610065 China Institute for Materials Research (IMR) Tohoku University Sendai 980-8577 Japan College of Materials Science and Engineering Sichuan University Chengdu 610064 China 
Magnesium (Mg) is a promising alternative to lithium (Li) as an anode material in solid-state batteries due to its abundance and high theoretical volumetric capacity. However, the sluggish Mg-ion conduction in the lat...
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基于曲率滤波和改进GMM的钢轨缺陷自动视觉检测方法
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《仪器仪表学报》2018年 第4期39卷 181-194页
作者:张辉 金侠挺 Wu q.M.Jonathan 贺振东 王耀南长沙理工大学电气与信息工程学院长沙410114 湖南大学电气与信息工程学院长沙410082 温莎大学温莎N983P4 
针对传统钢轨检测技术的效率低下、精度不足、安全隐患等问题,提出了基于曲率滤波和改进高斯混合模型(GMM)的钢轨表面缺陷检测方法。首先,提出了基于垂直投影的区域定位算法和灰度对比算法,克服现场工况复杂、轨面反射不均、信道噪声...
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低开关频率下混合脉宽调制方法研究
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《北京交通大学学报》2011年 第5期35卷 106-112页
作者:韦克康 郑琼林 周明磊 王琛琛北京交通大学电气工程学院北京100044 
大功率轨道牵引传动系统的开关频率较低,而调速范围较宽,导致了载波比变化范围大,需要设计混合脉宽调制策略以满足要求.本文分析了一种低开关频率下SVPWM和特定谐波消除PWM(Selective Harmonic Eliminate PWM,SHEPWM)混合脉宽调制方法,...
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Architecture Design for Integrated Wide Area Protection and Control Systems
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《Journal of Power and Energy Engineering》2015年 第4期3卷 412-416页
作者:Z. q. Bo q. P. wang Lin wang Fengq.n Zhou Shengming Ge B. M. ZhangXUJI Group State Grid Corporation Beijing China Department of Electrical Engineering Tsinghua University Beijing China 
This paper firstly reviews the recent development in power system protection and control, with special attention paid to the wide-area and integrated protection, in order to look into future development of integration...
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航天器高压直接配电设计研究
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《载人航天》2017年 第6期23卷 770-775页
作者:于磊 王宏佳 王林涛 李慧军 党蓉 郑琼林中国空间技术研究院载人航天总体部北京100044 北京交通大学电气工程学院北京100190 
提出了一种航天器高压直接配电设计方案,将100 V母线电压输送到负载端进行一次变换后直接使用,对系统拓扑、过流保护设计、高压安全控制、系统接地等技术进行了研究。相比于两级式配电方案,直接配电方案减少了一级变换环节,更能发挥高...
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杨教授视点 智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响(中)
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《变频器世界》2010年 第5期 22-23页
作者:JUN wang ALEX q. HUANG WOONGJE SUNG YU LIU B. JAYANT BALIGA 张永鑫(译) 田书欣(译) 杨喜军(译) 姜建国(译) 
15-kV SiC IGBT的设计与优化图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^+衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P+发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层(场塞),厚5μm,掺杂浓度1×10^17c...
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