摘要：在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压>80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.

摘要：本文介绍一种基于STC89C58RD+单片机、红外传感器技术设计的电子皂膜流量计,详细说明了它的工作原理、器件选择及研制方法,并采用气压和温度传感器与微处理器结合,进行运算及补偿,保证测量的准确性。

摘要：基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数。综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度。结果表明,在0.1~10 GHz内,回波损耗相对误差小于4.1%,插入损耗相对误差小于3.7%,验证了所提出模型的可行性和准确性。

摘要：为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最优终端区域尺寸。基于工艺仿真软件设计了Ar离子注入工艺参数,依次以30 keV、5.0×10^(13)cm^(-2),60 keV、1.5×10^(14)cm^(-2)和140 keV、4.5×10^(14)cm^(-2)的注入能量和注入剂量进行多次注入,形成了Ar离子终端结构。采用Ar离子注入终端的GaN二极管的反向击穿电压从73 V提高到146 V,同时注入前后器件正向特性变化不大。结果表明,采用优化尺寸参数的终端结构能够有效降低肖特基结边缘处的峰值电场强度,从而提高器件的反向击穿电压。

摘要：目的基于Patient 3D,探究左侧乳腺癌根治术后调强放疗计划中Acuros XB(AXB)算法和各向异性解析算法(Anisotropic Analytical Algorithm,AAA)这2种算法的剂量学差异。方法选取左侧乳腺癌根治术后放疗患者26例,采用Eclipse15.5治疗计划系统(Treatment Planning System,TPS)设计固定野动态调强计划,使用AAA算法和AXB算法计算剂量沉积,导入IBA compass软件系统Patient 3D模块进行2种算法独立计算重建剂量,对比各结构的剂量学参数及验证结果。结果TPS计算结果表明,AXB算法左肺的V_(5)、D_(mean)显著低于AAA算法(P<0.05)。Patient 3D结果表明,2种算法各有优缺点,其中右肺、左肺、心脏、健侧乳腺的Dmean和D1,以及左肺V_(5)AXB算法与TPS优化结果一致性优于AAA算法。2种算法的横断面剂量重建γ分析比较,AAA算法在左肺剂量偏差较大。结论左侧乳腺癌根治术后调强放射治疗计划设计中,AAA算法和AXB算法均符合临床要求,AXB算法明显降低了左肺V5的百分体积,在左肺低剂量区更符合TPS实际优化剂量。

摘要：基于两级功率放大器架构,设计了一款平均输出功率为37 dBm(5 W)的高增益Doherty功率放大器。该器件通过增加前级驱动功率放大器提高Doherty功率放大器的增益,采用反向Doherty功率放大器架构,将λ/4波长传输线放置在辅助功放后端,相位补偿线放置在主功放前端,并使主功放输出匹配网络采用双阻抗匹配技术实现阻抗变换,如此可扩宽功率放大器的工作带宽。连续波测试结果显示:3.4~3.6 GHz工作频段内,饱和输出功率在44.5 dBm以上,功率饱和工作点PAE在43.9%以上;在平均输出功率(37 dBm,5 W)工作点,回退量大于7.5 dB,功率附加效率PAE为36.8%以上,功率增益在31 dB以上。

摘要：本研究分别设计了去除松褐天牛肿腿蜂Sclerodermus alternatusi母蜂第1 d所产的卵(处理1)和在松褐天牛肿腿蜂产卵1 d后去除母蜂(处理2),并统计其子代性别构成和比例这2组数据来明确其产卵行为特征,进而来验证松褐天牛肿腿蜂在一次产卵行为中是否会优先产出未受精的卵。研究发现,在处理2中仅保留了肿腿蜂第1 d所产的卵后,24例有效重复中仅有1例无雄性后代;对照组(接蜂后无处理)中所有重复均有雄性后代。然而,在处理1去除了肿腿蜂第1 d所产的卵后,25例有效重复中子代无雄蜂的样本数达到了10例,其雄蜂缺失的比例显著高于处理2和对照组。处理1和处理2均羽化出26头雄蜂,其平均单雌产雄量分别为1.04和1.08头,显著低于对照组的1.98头。以上研究结果表明,松褐天牛肿腿蜂的群体构成是显著的偏雌性,母蜂一次产卵行为中会在最初的时间内将雄性后代产出,而随后再陆续地产出雌性后代。这种雄性后代先产的行为特征对肿腿蜂控制其较高的子代雌性比和子代雌蜂在羽化后可第一时间完成交配是有利的。

摘要：论述电子设计实验课教学体系建设的必要性以及实验课创新思路和方法,通过在教学内容和教学形式上的创新,有力地促进了学生的创新意识和综合实践能力的提高。

摘要：提出了一种适用于低电压工作的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件,开展了材料外延结构的设计,在SiC衬底上生长了AlN/GaN外延材料。基于此材料开展了器件制作,优化了高温快速退火工艺,获得良好的欧姆接触电阻。对所制备的器件进行直流测试,结果显示,电流输出能力为2.4 A/mm,跨导极值为518 mS/mm,小信号f_(t)达到85 GHz,f_(max)大于141 GHz。在5G毫米波段28 GHz频率点测试了大信号特性,当V_(DS)=3 V时,输出功率密度为0.55 W/mm,功率附加效率(PAE)为40.1%;当V_(DS)=6 V时,输出功率密度为1.6 W/mm,PAE达到47.8%。该器件具有低压毫米波应用的潜力。

摘要：针对常规直角弯头容易产生冲蚀失效的问题,设计了一种带有缓冲腔的新型直角弯头。运用Fluent软件对比分析常规直角弯头和新型直角弯头两种弯头的内部流场和冲蚀情况,结果显示新型直角弯头相较于常规直角弯头具有更好的耐冲蚀性能。在相同工况下,新型直角弯头冲蚀区域面积大大减少,同时降低了最大冲蚀率。新型直角弯头的结构便于在冲蚀较严重的倒角处喷涂耐磨涂层,提高圆角处的耐冲蚀性能,从而进一步延长弯头整体的使用寿命。