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检索条件"作者=Wen-Cheng Lai"
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Chip Design of a Low-Voltage Wideband Continuous-Time Sigma-Delta Modulator with DWA Technology for WiMAX Applications
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《Circuits and Systems》2011年 第3期2卷 201-209页
作者:Jhin-Fang Huang Yan-cheng lai wen-cheng lai Ron-Yi LiuDepartment of Electronic Engineering National Taiwan University of Science and Technology 
This paper presents the design and experimental results of a continuous-time (CT) sigma-delta (ΣΔ) modulator with data-weighted average (DWA) technology for WiMAX applications. The proposed modulator comprises a thi...
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中国国债市场70年回顾与展望
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《经济问题》2019年 第10期 1-9页
作者:温来成 姚晨程中央财经大学中财—中证鹏元地方财政投融资研究所北京100081 中央财经大学财政税务学院北京100081 
国债市场是一个国家证券市场的重要组成部分,是政府财政政策和货币政策的重要结合点。新中国成立70年来,我国国债市场经历了一个曲折过程。回顾我国国债市场在不同历史发展阶段的特征,系统梳理其发展脉络,概括70年国债市场发展的成就与...
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Design of Waveguide Integrated Ge-Quantum-Well Electro-Absorption Modulators
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《Chinese Physics Letters》2011年 第1期28卷 102-105页
作者:ZHAO Hong-Wei HU Wei-Xuan XUE Chun-lai cheng Bu-wen WANG Qi-MingState Key Laboratory of Integrated Optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 
We present two designs for a waveguide Oe-quantum-well electro-absorption modulator. In our designs, the strip SOI waveguides are butt-coupled and evanescent-coupled to the modulator, respectively. The proposed Gequan...
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Kansei Engineering Applied to the Form Design of Injection Molding Machines
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《Open Journal of Applied Sciences》2012年 第3期2卷 198-208页
作者:Ming-Shyan Huang Hung-cheng Tsai Wei-wen laiDepartment of Mechanical and Automation Engineering and Graduate Institute of Industrial Design National Kaohsiung First University of Science and Technology Kaohsiung Chinese Taipei 
This study investigated the relationship between a subject’s evaluation of injection molding machines (IMMs) and formal design features using Kansei engineering. This investigation used 12 word pairs to evaluate the ...
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高频大功率SiGe/Si HBT的设计
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《半导体光电》2006年 第3期27卷 271-277页
作者:薛春来 成步文 姚飞 王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室北京100083 
详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出...
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Biomechanical comparisons between a new avascular necrosis of femaral head stem based on Chinese patients with avascular necrosis and two other designs
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《Chinese Medical Journal》2013年 第10期126卷 1918-1924页
作者:ZHANG Qiang cheng cheng-kung WEI Hung-wen DONG Xiang CHEN Yi-ting lai Yu-shu WANG YanDepartment of Orthopaedics General Hospital of Chinese People'sLiberation Army Beijing 100853 China Institute of Biomedical Engineering and Orthopaedic DeviceResearch Center National Yang-Ming University Taipei 11221Taiwan China Naton Institute of Medical Technology Naton Medical GroupBeijing 100082 China 
Background There is a relatively high failure rate of the femoral component in patients with avascular necrosis at the intermediate-term follow-up. Improving the geometrical fit of the femoral stem against the medulla...
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High interfacial-energy heterostructure facilitates large-sized lithium nucleation and rapid Li+desolvation process
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《Science Bulletin》2022年 第24期67卷 2531-2540,M0004页
作者:Zhipeng wen Yuanhong Kang Qilong Wu Xiu Shen Pengbin lai Yang Yang cheng Chao Li Jinbao ZhaoSchool of Chemical Engineering and Light IndustryGuangdong University of TechnologyGuangzhou 510006China State Key Lab of Physical Chemistry of Solid SurfacesCollaborative Innovation Centre of Chemistry for Energy MaterialsState-Province Joint Engineering Laboratory of Power Source Technology for New Energy VehicleEngineering Research Center of Electrochemical TechnologyMinistry of EducationCollege of Chemistry and Chemical EngineeringXiamen UniversityXiamen 361005China 
High interfacial energy Li^(0)-electrolyte interface contributes to larger Li^(0) nucleation embryos and a more stable interface,so the interfacial energy is essential for highly reversible Li^(0) deposition/***,a hig...
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重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响
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《物理学报》2007年 第11期56卷 6654-6659页
作者:姚飞 薛春来 成步文 王启明中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 
硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应...
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丘陵履带式甘蔗收获机底盘调平机构设计与试验
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《农业机械学报》2024年 第12期55卷 100-109页
作者:赖晓 程健华 李尚平 文春明 韦雨彤 宋家华广西大学机械工程学院南宁530004 广西民族大学电子信息学院南宁530006 
针对履带式甘蔗收获机在横向斜坡的丘陵山地作业时容易侧翻问题,设计了一种适用于履带式甘蔗收获机的底盘调平机构。基于履带式甘蔗收获机中间有甘蔗输送通道的特点,提出了两侧设置调平机构的方案。开展了底盘调平机构关键部件参数设计...
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Si/SiGe量子级联激光器的能带设计
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《物理学报》2007年 第7期56卷 4137-4142页
作者:林桂江 周志文 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中厦门大学物理系厦门大学半导体光子学研究中心 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 
详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6k.p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGex/Si量...
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