摘要：采用有限元分析方法分析不同结构设计方案对7.50R16轻型载重子午线轮胎力学性能的影响。结果表明,充气状态下,3层带束层(方案2)轮胎的第1带束层帘线受力远小于2层带束层(方案1)轮胎,但第2带束层受力大于方案1;加载状态下,方案2的第1和2带束层反包端点和胎体反包端点单元橡胶材料应力和应变能密度较方案1减小很多,但加强层反包端点单元橡胶材料的应力和应变能密度较方案1大;驱动和制动状态下,方案2的胎体反包端点单元橡胶材料应力和应变能密度较方案1略小,但加强层反包端点单元橡胶材料应力和应变能密度较方案1大;方案2的肩部力学性能更好。

摘要：目的　本实验设计从骨髓中提取CD34 + 细胞作为血管内皮细胞干细胞 ,经诱导生成血管内皮细胞应用于组织工程学器官重建术。方法　利用免疫磁珠法从骨髓中提纯的CD34 + 细胞在体外经血管内皮细胞生长因子 (VEGF)、成纤维细胞生长因子 (bFGF)诱导 ;在动物实验中 ,CD34 + 细胞经Dil标记后于Matrigel混合涂于裸鼠背部皮肤缺损处 ,表面覆盖人胸膜组织。结果　细胞经诱导可转化生成血管内皮细胞 ,Ⅷ∶Ag、CD31+ 染色阳性 ,并可在重组基底膜 (Matrigel)中形成三维毛细血管网状结构。体内实验结果可见CD34 + 细胞参与并加速胸膜下毛细血管网形成 ,短时期内重建血供系统确保胸膜组织存活。对照组 (单纯覆盖Matrigel与胸膜 )胸膜缺血坏死。结论　可利用CD34 + 细胞替代毛细血管内皮细胞重建正常组织毛细血管网 ,与器官实质细胞共同组成复合组织 ,运用于组织工程化器官重建术 。

摘要：建立了350MW级先进压缩空气储能系统膨胀侧核心设备的数学模型,基于EBSILON热力学仿真软件仿真计算了不同膨胀机配气方式对压缩空气储能系统热力性能的影响趋势。计算结果表明:采用“节流+补气”配气方式时,压缩空气储能系统整体运行经济性更高,且储气库压力波动范围越大,经济性优势越明显,应对电网调峰调频指令的负荷响应能力更好。

摘要：快Z箍缩在强辐射效应、惯性约束聚变、材料特性、天体物理和其他高能量密度物理方面具有重要应用,要满足上述多种需求,迫切需建电流数十兆安、前沿百纳秒,功率百太瓦级的脉冲功率驱动源。本文综述了Marx水线电容储能多级脉冲压缩传统技术路线和直接驱动FLTD型技术路线的快Z箍缩百太瓦级脉冲驱动源的研究现状、发展趋势,分析了两种技术路线的主要制约因素和前景,梳理了研制百太瓦级、电流数十兆安的快Z箍缩驱动源需要解决的主要关键技术和科学问题。

摘要：对研究生信息管理系统的子系统———成绩管理系统进行了设计和实现。该系统基于 2S 3M的模型 ,使用了ADO、BDE两种方式和数据库连接 ,实现了成绩的输入、修改、查询、统计分析和打印等多项功能 。

摘要：目的探讨术前存在广泛门静脉血栓肝移植患者采用彩色多普勒超声(CDI)进行围手术期监测的临床作用。方法对4例术前存在广泛门静脉血栓肝移植患者于术前、术后进行CDI检查。术后首次CDI检查在移植术后24h内进行,术后第1周和第2周隔天1次,以后每周1～2次;主要监测指标包括门静脉主干最大内径、平均血流速(TAMX)、最大流速(Vmax)、血流频谱、侧支循环。结果 4例病例术前CDI检查发现门静脉主干血流缓慢、整段狭窄、完全堵塞、无血流及门静脉内膜严重病变等情况;并探测到多支侧支循环血流丰富、肠系膜上静脉扩张和无法找到满意的门静脉重建部位。这些情况在手术中证实,并指导了肝移植特殊类型手术中供肝门静脉灌注重建。术后2周隔天进行1次的CDI检查显示4例患者门静脉内径、血流方向及流速都呈现正常,取得较好重建效果和良好的肝功能恢复。结论 CDI对监测肝移植术后门静脉并发症具有较好效果,对术前门静脉系统广泛血栓患者,CDI对指导术者在术前思考手术可能遇到问题、设计和准备应变手术方式具有一定价值。

摘要：以某石化电厂锅炉省煤器磨损爆管事故为例,分析得出螺旋肋片管磨损的加剧由煤种变化和变负荷运行所致。运用抗积灰能力和防磨罩结构优于螺旋肋片管的H型肋片管进行改造,取得良好效果。

摘要：针对某燃煤热电厂供热增容和节能改造要求,通过分析运行数据和热力计算,提出了通过降低给水温度利用原回热抽汽直接供热的增容改造方案,采取增加可控壁温式换热器和锅炉尾部省煤器改造的措施,达到了锅炉节能降耗的目的,使锅炉热效率提高1.9%,供热量明显增加。

摘要：试验旨在用乳酸脱氢酶法探讨仔鸡肠囊的最佳培养时间。采用单因素试验设计,将6只三黄公鸡的十二指肠、空肠和回肠肠囊随机分配到锥形瓶中,1只鸡为1个重复,每个肠段6个重复,然后在0,20,40,60和80min用移液枪分别从每个锥形瓶中取100μL培养液分析乳酸脱氢酶活力。结果表明,在0～60min,培养液中乳酸脱氢酶活力上升较缓慢,60min后上升幅度较快;仔鸡肠囊的适合培养时间是40～50min。

摘要：A monolithic optoelectronic integrated circuit chip on a silicon-on-insulator is designed and fabricated based on complementary metal oxide semiconductor compatible *** chip integrates an optical Mach-Zehnder modulator (MZM) and a CMOS driving circuit with the amplification *** results show that the extinction ratio of the MZM is close to 20dB and the small-signal gain of the CMOS driving circuit is about 26.9dB.A 50m V 10 MHz sine wave signal is amplified by the driving circuit,and then drives the MZM successfully.