摘要：给出了高频RFID标签芯片解调电路的设计。设计工艺采用中芯国际(SMIC)2P3M0.35μm混合信号CMOS技术,并给出了spectre仿真环境下的仿真结果。晶体管级仿真和版图后仿真结果表明所设计电路满足高频RFID标签芯片解调要求。

摘要：设计了一种采用电流反馈及电阻分压技术,输出可调的,用于单片集成超低压差的CMOS线性稳压器的高性能带隙基准电压电路。它可产生1～1.2217V多个电压基准;当温度从-40～125℃变化时,温度系数为23×10-6/K;具有较高的电源抑制比(PSRR),其值为78dB。输入电压在2.5～6V变化时,基准电压的变化范围为1.221685±0.055mV,该电路还可为其它电路模块提供PTAT电流。

摘要：针对嵌入式系统软硬件设计方案的知识产权保护问题,提出了一种基于NTRU公钥密码算法的双向认证模型和保护机制,并在此基础上设计了一款双向认证安全芯片.通过一种轻量级NTRU硬件引擎结构,实现了芯片的小面积、低功耗.采用华虹NEC 0.35μm工艺库综合,芯片规模约为2.38万门,平均功耗3.17mW.测试表明此款芯片能够达到保护嵌入式系统安全的目的.

摘要：结合一型半潜式修井平台的实际设计经验,对火气探测系统的报警区域划分、报警表决、消防系统联动和报警信号输出4项主要设计要点进行总结、分析,归纳出通用设计方法。

摘要：为了给显示器用户以图形化界面进行调节亮度、对比度等参数,需要在显示器中配置专用的OSD控制芯片。详细介绍了一种基于标准8051 CPU核的OSD集成芯片的工作原理和系统设计,以及该系统的功能仿真与实现。

摘要：提出了工作在2.45GHz下的无源RFID标签芯片的实现方法.给出了整体模拟部分包括倍压电路、限压电路、解调、上电复位、稳压电路、振荡器等实现电路结构.最终给出了整体芯片各模块的功耗电流,总体功耗电流仅为2.3μA,在Hejian 0.18μm CMOS Mix-signal工艺下实现了整体电路设计.

摘要：采用时间数字转换技术(Time-to-Digital Converter,TDC),设计实现了一种新型符合IEEE 802.15.4标准的MSK解调器.该解调器由限幅放大器、时间数字转换器和数据恢复电路组成,解调器的输入信号被限幅放大器放大至轨到轨,经过TDC过零检测以提取信号的频率信息,并将其转换为二进制码,提供给数据恢复电路处理,恢复出原始发射数据.对解调器进行了理论建模,分析系统性能的影响因素.该解调器基于TSMC 0.18μm CMOS工艺设计,版图面积仅为0.1mm2.理论模型和实际电路的仿真结果同时表明,提出的解调器在误包率(Packet Error Rate,PER)低于1%时所需的信噪比仅为8.7dB,且功耗小于1mW,满足低成本低功耗的设计要求.

摘要：文章先对影响电流型DC-DC升压转换器电路的系统稳定性的因素进行分析,然后在电路设计实现上提出了具体的改进办法:在误差放大器模块增加频率补偿电路来消除放大器反馈环路可能存在的振荡现象;采用斜坡补偿电路来增强反馈电流环路的稳定;为了提高电压反馈环路的稳定性,创新提出在芯片外部增加COMP管脚,内部增加环路补偿电路;输入管脚增加旁路电容以减少噪声;输出管脚增加旁路电容以增强芯片反馈系统的稳定性;通过采取这些措施,保证了芯片电路的的稳定性能,并极大的提高了输出电压的精度,设计取得了很大成功。

摘要：基于带隙基准的原理,采用0.6μm、N阱CMOS工艺,文章设计了一种工作在亚阈值区的用于锂离子和锂聚合物电池充电保护芯片的低功耗基准电路。Hspice仿真结果表明:基准电压为1.068V,电源电压由1.8V到8V变化,电路最大消耗电流小于0.15μA;温度由-40℃到80℃变化,其温度系数约为±10ppm/℃。整个充电保护芯片测试结果,其功耗小于0.6μW。

摘要：文章提出了一种基于BiCOMS工艺的多节锂电池过电压保护芯片的设计。阐述了此芯片的系统结构,对芯片的关键电路的独特设计方法及原理进行了详细分析,最终给出芯片的测试结果。此芯片具有过电压探测时间可设计、低功耗、过电压检测精度高等特点,可用于2节、3节或4节电池组的二级保护。