摘要：目的　研究中国、新加坡和荷兰 3个国家儿童体重指数 (BMI)与体脂百分含量的关系 ,为研究儿童生长发育与营养状况评价方法提供依据。方法　采用配对实验设计 ,将儿童的年龄、性别和身高进行配对筛选 ,要求年龄为 7～ 1 2岁 ,每个研究地点 50名儿童 ,男女各半。采用密度法和双能X线吸收法 (DXA)测量儿童的体脂含量。结果　研究发现 3个国家儿童以及不同性别儿童的BMI和体脂百分含量 (BF % )之间差异无显著性。对各国儿童年龄和BF %进行调整后 ,新加坡儿童的BMI显著低于中国儿童和荷兰儿童。BMI、年龄和性别相同的情况下 ,新加坡儿童的BF % (2 4 .6 %± 0 .7% )显著高于中国 (1 9.2 %± 0 .8% )和荷兰儿童 (2 0 .3 %± 0 .7% )。

摘要：简要介绍郑州市某栋综合体超高层的冷热源,空调、采暖、通风、防排烟、节能环保及计量,同时讨论空调水系统压力分区,冷冻水大温差。

摘要：基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,ISUB特征曲线的解释理论和基于理论的正确公式表述对于确保器件设计的可靠性尤为重要.高压器件的ISUB随栅极电压变化在峰值后再次升高.然而在普通低压器件的经典特征曲线中,ISUB仅呈现一个峰.高压器件的ISUB再次升高及其相关的可靠性问题成为新的研究热点.最广为接受的理论(Kirk effect)认为,ISUB再次升高是因为栅控沟道内的经典强电场区移动到沟道外n+漏极的边缘.本文与之不同,认为高压器件ISUB的再次升高并非因为经典强电场区的移动,而是因为在n+漏极边缘出现独立的强电场区,和经典强电场区同时并存,这就是双强电场模型.该双强电场模型仅有经典强电场的ISUB方程不适用于高压器件,新的ISUB方程也由此双强电场模型推导出来,公式与实验结果吻合.进一步地,双强电场模型引进了空穴在氧化层的陷落机制,解释了高压器件的热载流子注入效应.

摘要：射频工程师通常使用矢量网络分析仪（VNA）测量射频元器件的S参数，以便对其特性进行表征并进行后续设计。他们在测量过程中遇到的一个问题是，这些元器件往往是表贴封装的，不能直接与VNA连接。如图1所示，工程师通常会制作简单的PCB测试夹具来对被测件（DUT）进行表面贴装，建立被测件与VNA的连接。

摘要：设计：随机对照试验。分配：隐蔽。盲法：非盲。随访时间：1年。地点：英国伦敦2个泌尿中心门诊。

摘要：为了提高气田的生产稳定性,对集输系统、天然气净化厂、外输首站一级关断SIS系统进行可靠性分析。分析各子系统对气田一级关断SIS系统的影响以及其相互界面间的影响,同时分析与SIS系统密切关联的外部系统(如供电、通信等),找出影响普光气田一级关断SIS系统可靠性的薄弱点并提出改进方案。基于改造后的SIS配置与关断逻辑,对原有SIS系统的可靠性RBD模型进行修正,普光气田意外跳车的时间间隔由改造前的2.5年延长到5.3年。改进方案可以在确保原有SIS可靠关断的基础上,有效减少SIS系统误动作触发一级关断,从而提高气田生产的整体稳定性。