摘要：3D电影的场景设计在造型手法、空间表现上和传统电影有着相当大的区别,这得益于计算机CG技术,能够创造出完全由计算机虚拟而传统手法无法获取的形象和镜头运动,实现了科学技术和艺术的完美结合。计算机CG技术以其变幻无穷的表现力及高效的工作方式,将专业人员从大量的摄录实景、繁琐的剪辑过程和昂贵的设备中解放出来,为创意的发挥开辟了崭新的天地。

摘要：目的:建立一种合理的脊髓损伤模型,以进行脊髓损伤基础研究。方法:采用气垫导轨固定撞锤轨道,改变撞击方向,改进精确定位方式。结果:改进后可有效避免撞击的二次损伤,方便了控制的改进。结论:气垫导轨式脊髓撞击损伤试验模型制作简单经济,容易实现,便于推广,具有一定的应用价值。

摘要：为探明黄土地层中地铁盾构隧道管片衬砌结构与周围土体的相互作用关系,以西安地铁2号线穿越老黄土地层盾构隧道为研究对象,对实际作用于管片衬砌结构的水压力、土压力及主体结构内力(轴力、弯矩)进行现场动态跟踪测试,分析施工过程中盾构机动态掘进及后期稳定后的土-水压力对管片结构受力的影响。结合利用管片内力的现场实测值,采用正交试验设计分析方法,定义优化分析函数,反演分析黄土地层中盾构隧道管片衬砌结构设计荷载的合理计算参数。通过对比分析表明,运用优化后的设计参数得出的计算内力值与实测值在量值与分布上均较为接近,证实了分析方法的可行性、合理性,其成果可供类似工程设计参考。

摘要：研究目的:以新建武汉至孝感城际铁路重点工程府河特大桥为例,对曲线半径500 m的32 m双线无砟轨道现浇简支弯梁的结构形式、受力特点、倾覆稳定性及工程数量进行详细地设计与研究,通过平面与空间分析比较,验证32 m简支弯梁的分析方法的可靠性,为同类型桥梁设计提供参考。研究结论:(1)计算结果表明32 m简支弯梁各项指标满足规范要求,结构安全可靠;(2)简支弯梁的结构计算采用直线梁模型偏不安全,应采用曲线梁模型并考虑强度安全系数稍留富余;(3)"弯扭耦合"效应导致简支弯梁曲线内外侧受力不等,箱梁底板外侧压应力较小且控制设计,除此之外,受力特点与直线梁并无太大差异;(4)支座布置不影响简支弯梁的内力分配,本梁横向有整体外移的趋势;(5)简支弯梁腹板尺寸可与相邻直线梁尺寸保持一致,不需增大腹板尺寸;(6)弯梁梁长较长,二恒较大,梁部工程数量较直线梁稍大,但均在合理范围之内,工程造价经济;(7)该梁型可广泛运用于同类型城际铁路,研究方法和结论可为其他简支弯梁设计提供参考与借鉴。

摘要：为解决常规生命周期评价方法由于固有的周期长、数据需求量大等缺点而难以适用于产品的方案设计阶段问题,提出一种基于绿色特征的快速生命周期评价方法;建立了绿色特征模型筛选设计方案中的绿色信息。采用模糊集合理论中的直觉模糊数对定性特征值进行了研究;采用Monte Carlo法处理定量特征,并将其标准差作为不确定性因子进行不确定性分析。选择合适的生命周期影响评价方法进行生命周期影响评价,得到生命周期评价结果,以完成产品设计方案的环境影响评价,从而支持产品的绿色设计。通过某公司变速箱前箱体实例对所提快速生命周期评价理论进行了验证。

摘要：目的积极开发校园文化资源,刻画出具有典型性特征的校园形象,打造校园IP,提升高校文化知名度和影响力。方法通过文献阅读与实地调研对比了国内外各大高校文创产品设计开发特色,汲取文创产品设计开发经验,提出校园文创产品设计要素模型。基于问卷调查与实地访谈法,了解用户对现有文创产品的态度与建议,运用移情法将用户对文创产品的描述转化为明确的设计要求。广泛搜集具有高度认同感并且容易触发用户情感共鸣的文化元素,根据文化资源的特色提炼出有效的文创产品设计方法,整理出华中科技大学文创产品的设计方向。结论综合用户研究、文创产品设计要素模型与方法,设计出了能与用户产生深层次情感共鸣并且传递高校文化价值与影响力的文创产品。

摘要：为了进一步提高分数阶微分器的精度,将遗传算法引入到滤波设计中,获得了性能更加优越的分数阶微分器。首先分析了分数阶微分器的特点和设计方法,通过对相应IIR滤波器的系数进行优化,得到了分数阶微分器的全局最优个体,避免了传统方法设计分数阶微分器中高频出现的误差。仿真结果表明,由该算法设计的分数阶微分器明显优于其它方法,能有效的逼近理想分数阶微分器的幅频响应。;

摘要：SIMD利用FPGA芯片来实现ABC95阵列机中主要的芯片组 ,其中 16个PE处理器芯片是由FPGA芯片实现的。分析了存储器无冲突访问硬化的方法 ,介绍了PE处理器芯片的设计、它的基本组成结构、对存储器无冲突访问的支持。

摘要：本文报道一种利用谐振器中缺口位置设计双模带通滤波器的新方法.用这种方法既可以实现具有一对传输零点的双模带通滤波器,也可以实现无传输零点的双模带通滤波器.通过分析缺口位置对谐振器内电场模式分布的影响,建立了双模滤波器的拓扑结构图.利用全波仿真软件,基于不同的缺口位置设计了中心频率为2.05GHz,带宽为100MHz的两种滤波器.实验测试结果和滤波器理论仿真结果相一致.

摘要：提出一种SOI基背栅体内场降低BGREBULF(back-gate reduced BULkfield)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(>600V)击穿特性的影响,在背栅电压为330V时,实现器件击穿电压1020V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.