T=题名(书名、题名),A=作者(责任者),K=主题词,P=出版物名称,PU=出版社名称,O=机构(作者单位、学位授予单位、专利申请人),L=中图分类号,C=学科分类号,U=全部字段,Y=年(出版发行年、学位年度、标准发布年)
AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
范例一:(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二:P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016
摘要:介绍了一种基于反冲质子法和磁分析技术的新型DT聚变中子谱仪,能够以高信噪比对9—17MeV的中子能谱进行精确测量,适用于稳态及脉冲条件下的等离子体温度(Ti)和燃料面密度(ρR)的诊断,对14MeV的初级DT中子具有约4%的能量分辨率和约10-8的探测效率。谱仪的磁分析系统使用高性能钕铁硼二极永磁铁建造,焦平面上使用CR-39固体径迹探测器测量反冲质子的位置分布。使用239Puα源对磁分析系统进行了实验研究,并建立了配套的粒子输运模拟程序。结合实验和程序模拟结果,使用蒙特卡罗软件模拟分析了谱仪整体性能。谱仪结构紧凑、性能良好且适用于稳态及脉冲辐射场,可望在未来的聚变研究中得到有效应用。
摘要:为了研究多程放大系统中的透镜倾斜对系统像差影响,采用在商用光学设计软件ZEMAX中建模进行光线追迹结合实验验证的方法,得到了初步分析结果。结果表明,在此类多程放大系统中,对远场能量集中度有较大影响的几种像差主要由透镜离轴倾斜使用造成的,其中离轴四程透镜的影响较大,而且离轴四程透镜的倾斜角度对整个多程系统输出的波前影响并非是线性上升。对校正装置的系统输出波前畸变及今后类似光路的优化设计有一定参考意义。
摘要:提出了以雪崩管作为主开关利用Marx线路来产生高重频高压窄脉冲的方法。分析了雪崩管电路特性,提出了Marx线路下高重频运行时器件的设计要求及印制电路板(PCB)布线设计建议。研制了一台高重频高压亚纳秒脉冲源发生器装置,该装置结构紧凑,在50Ω负载系统下,能输出幅度为1 kV、重复频率为800 kHz、脉宽为500 ps的脉冲。在常温风冷下,该设备可长时间稳定运行。
摘要:为了提高立式转子动平衡测量精度 ,采用气体静压球面支承技术使被测工件稳定悬浮 ,通过测量工件的微小偏移进行动平衡计算和校正。研制了测量装置、精密恒压供气系统和测控系统 ,探索了减少和消除干扰的措施。该系统克服了刚性支承摩擦力对测量精度的影响 ,具有很高的精度 ,实验表明 ,最小剩余不平衡度达 0 .8μm。
摘要:针对高性能计算环境监控的一般要求,分析对比现有的监控体系结构,设计了基于GMA体系结构的监控系统,详细介绍了设计中的几个关键问题,并给出了解决办法,最后实现了一个轻量级且高效的高性能计算环境作业监测系统。
摘要:为实现核反应堆pin-by-pin精细Monte Carlo粒子输运模拟,研发了组合几何Monte Carlo粒子输运支撑软件框架JCOGIN以支撑千万个几何体、百亿个粒子的Monte Carlo粒子输运大规模并行计算。JCOGIN框架采用层次式、模块化的体系结构设计了适应现代高性能计算机体系结构特征的数据结构,在此基础上实现了对粒子并行与区域分解相耦合的两级并行计算的支撑。在JCOGIN框架下研发了JMCT程序,并进行性能测试,在2万个处理器核上并行效率达70%;基于区域分解完成了大亚湾全堆芯pin-by-pin模型模拟,几何体数达千万,粒子数达百亿。
摘要:将遗传算法应用于识别气浮式动平衡测量装置准静态信号的参数 ,提出了二次磨光法的数据预处理方法。首先采用二次磨光法消除坏点并进行快速傅立叶变换以确定信号的频率成分 ,并设定各频率成分信号的幅值和初相位的取值范围 ,然后以实测信号与识别结果的差值定义适应度 ,最后经过基本遗传操作和迭代得出最优解。仿真结果和试验实例表明 ,提出的方法精度很高 ,幅值识别误差不超过 1% ,初相位误差小于 2° ,满足了实际工程需求。
摘要:将遗传算法应用于设计气体静压球面轴承的主要参数 ,结合气浮式动平衡测量装置的要求 ,给出了算法实现的具体操作步骤和计算结果 ,开发了应用软件。
摘要:为了降低太赫兹波传输的损耗,研究了波纹波导中传输太赫兹波时的损耗特性,得到波纹波导的衰减常数的理论计算公式,在数值计算基础上设计了220 GHz低损耗波纹波导,并通过电磁仿真对数值计算结果进行验证,HE11模式实现了仿真与理论结果的相互吻合。
摘要:低g值微惯性开关是一种感受惯性加速度、执行开关机械动作的精密惯性装置。为了解决开关芯片在清洗干燥过程中的粘连问题,提高器件的成品率,提出了防粘连的梯形凸台结构。该结构尺寸约为135μm×135μm×20μm,采用玻璃无掩膜湿法腐蚀技术在深约85μm的玻璃封盖底部实现。通过减小质量块与玻璃封盖底部的接触面积,弱化液体表面张力和范德华力的影响,避免了粘连现象的发生,使得低g值微惯性开关芯片在清洗干燥环节的合格率约达95%。采用MEMS体硅加工工艺和圆片级封装技术,完成了带有防粘连凸台结构的低g值微惯性开关的制作。玻璃无掩膜湿法腐蚀技术具有工艺简单、便于操作等优点,它的成功应用较好地满足了器件产业化的要求,为批量研制低g值微惯性开关提供了可靠的工艺基础。
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