摘要：脉冲量子级联激光器（QCL）因自热效应会导致谱线展宽，故需极短的电流脉冲驱动。理论极限线宽所需的脉宽为5—15ns，但由于环路寄生参数的影响，窄脉冲会引起信号过冲或振荡，因此目前商用的QCL驱动器无法满足这个要求。为获得更理想的激光器线宽，在常规脉冲恒流电路的基础上，采用频率补偿的方法来消除过冲和振荡，并设计了一款稳定的纳秒级激光器驱动电路。实验结果显示该驱动装置实现了峰值电流0～2A、脉宽8．4—200ns、上升时间〈4ns、过冲〈1％的脉冲电流输出。使用中国科学院半导体研究所研制的波长4．6μm激光器和傅里叶变换光谱仪进行测试，当驱动脉宽由100ns减小到10ns时，激光器线宽由0．35cm。线性递减到0．12cm-1。综合验证表明，所设计的驱动装置实现了稳定的窄脉冲电流输出，尤其适用于量子级联激光器的窄线宽驱动及应用。

摘要：隧穿场效应晶体管（TFET）已成为低压低功耗半导体器件的一个重要发展方向，但是自身存在的问题使其目前难以在实际电路设计中得到大量应用，主要原因之一是其开态电流过小。对隧穿场效应晶体管进行了简要介绍，从其隧穿几率等方面对器件的优化进行了分析。并综述了隧穿场效应晶体管的研究进展，包括基于传统Ⅳ族材料、Ⅲ-Ⅴ族材料以及GeSn材料等的隧穿场效应晶体管，并对基于负电容效应的铁电隧穿场效应晶体管进行了简要分析与介绍。然后，对隧穿场效应晶体管的改良与优化方向进行了简单总结，研究表明采用新材料或新结构的器件可极大地改善隧穿场效应晶体管的电学性能。

摘要：ISFET(Ion Sensitive Field Effect Transistors)是1种可与CMOS工艺兼容的离子敏感场效应晶体管.随着传感器阵列集成度的不断增加,鉴于响应速度、功耗和成本的局限性,单个ISFET的检测电路不适于大规模集成化的检测系统.从集成化的角度出发,在分析多个读出电路的基础上,比较各自的性能特点,得出1种脉冲宽度调节读出电路,在功耗、转换速度和结构方面都有优势,适合于大规模ISFET传感器阵列的数据读取.并应用分立元件对电路性能进行了验证,通过FPGA采集读出电路输出数据,验证其具有良好的稳定性和可行性.

摘要：本文提出了一种适用于单电源,低电压供电的Flash存储器的负压电荷泵实现方法.在分析电荷泵工作原理的基础上,结合NOR Flash存储器电路系统对该负电压的要求,提出了用于抑制编程串扰的负压电荷泵电路结构,并详细分析其工作原理.最后针对不同工艺角、电源电压和温度对该电路进行系统的仿真验证,结果显示对于上述各情形该电荷泵系统均可以在2μs内稳定输出-300mV的电压,达到设计要求.

摘要：基于奇数周期理论,提出一种新型快速高效率的双重图形技术(DPT)拆分方法。对于图形拆分过程中遇到的剩余违规冲突问题,分析其存在的原因,阐述了已知解决途径;基于奇数周期理论,详细阐述了新型图形拆分方法的实现步骤,该方法主要适用于未在设计阶段考虑兼容DPT的设计版图,能够对版图顺利完成包含更改设计和引入切割的图形拆分过程;采用新方法拆分实际版图,进一步证明了该方法能够同时减少剩余冲突和引入切割数目;采用EDA工具模拟了拆分之后进行光源掩膜优化(SMO)和光学临近效应修正(OPC)的光刻分辨率增强流程,验证了DPT能够提高分辨率、增大光刻工艺窗口。