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基于STM32的程控直流电子负载设计: 收藏
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引用; 《电测与仪表》2014年第18期51卷 85-91页; 作者：莫熙周伟窦晓波黄冬冬曹翔孙旻赵波东南大学电气工程学院南京210096 同济大学电子与信息工程学院上海201804 江西省电力科学研究院南昌330096 浙江省电力试验研究院杭州201804; 从程控直流电子负载的整体设计方案入手,采用STM32F103VCT6作为中央控制器,运用多通道AD技术对多路并联的MOSFET上的电压及各支路电流进行实时监测,控制工作在线性状态的MOSFET上的电流,以实现电子负载的恒流、恒压、恒功率和恒电阻4个...; 从程控直流电子负载的整体设计方案入手,采用STM32F103VCT6作为中央控制器,运用多通道AD技术对多路并联的MOSFET上的电压及各支路电流进行实时监测,控制工作在线性状态的MOSFET上的电流,以实现电子负载的恒流、恒压、恒功率和恒电阻4个功能。详细研究了MOSFET寄生电容引起的自激振荡及消除方法以及PI调节器、滤波器的设计,提出了一种提高多路MOSFET并联的电子负载的稳定性的方法。针对所提出的电子负载设计方案制作了实验样机,并对其进行了测试、分析和再优化。仿真和实验结果证明,所设计的电子负载具有较高的稳定性,有效抑制自激振荡,最大耐流30A,耐压90V,最大功率150W。; 来源：详细信息评论

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