摘要：以提升学生的科学素养与创新能力为目标,通过创新训练项目设计合成了核/壳/壳结构SiO_(2)@TbPO_(4)@SiO_(2);对产物进行了扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)及红外光谱(IR)测试,并研究了材料的荧光性能。通过所学基础理论知识,对目标产物进行组成分析、机理讨论及性能测试,培养学生从事科研工作的能力。

摘要：为响应创新型国家建设,教育部开展大学生创新创业训练项目。本文以听力与言语康复学专业学习为例,总结了创新训练项目与专业课程学习的关系,探讨了创新训练项目在促进专业知识巩固拓展和实践运用、丰富专业课程学习模式等学习成效中的影响,同时针对一系列项目执行过程中存在的问题,从高校组织管理、专业顶层设计、学生自身方面提出改进措施。大学生专业课程的学习与创新创业项目相融合能够极大地发挥专业优势,该模式为医学技术类学科创新型人才培养提供思路和参考。

摘要：手机的强社交属性使短视频成为人们生活中必不可少的媒介传播手段,而短视频人才在国际传播中可担负构建国家形象、讲好中国故事的重任。本文分析了短视频人才的国际传播现状、特点以及人才培养的急迫性,并以国家级大学生创新训练项目“广曦文化国际自媒体工作室”为例,探讨了短视频人才的教学培养过程以及短视频复合型人才培养的质量与评价标准,以供参考。

摘要：地方戏曲凝结着某一地域的民俗风情和历史变革,通过拍摄制作地方戏曲纪录片,有助于推进戏曲文化多样化的传播,以推动对传统戏曲文化艺术的传承与保护。该文以笔者主持的江苏高校大学生创新训练项目"国家‘非遗’纪录片《柳琴戏》拍摄创作"为例,就如何提升地方戏曲纪录片传播价值做出初步探索,以期推动地方戏曲艺术的有效传播。

摘要：本文以紫外可见漫反射吸收光谱为例,将大学生创新训练项目与基础实验教学相融合,提出了基础实验教学内容的新设计思路,目的在于增强学生的创新意识和科研能力,落实“科研育人、实践育人”。

摘要：随着互联网的快速发展,各种功能的App应运而生,国家级大学生创新创业训练项目给予学生更大的创意空间,在此类项目支持下的校园App不仅丰富了学生的校园生活,更重要的是在整体项目管理、App创建与运营的过程中,大学生在自我管理、团队管理、营销方式等方面的理念和能力都得到很大程度的提高,为大学生素质教育、科研能力训练、创新能力培养提供了便捷有效的教育平台。

摘要：本文探讨了创意市集作为一种新型文化展示平台,在促进亚文化群体交流与文化多样性中的作用。本研究基于文化经济学、市场营销和社群动力学等多学科理论,通过对目标市场的细分研究,本文识别了不同群体的需求。市集定位为文化与艺术交流的综合平台,强调个性化服务和可持续生活方式的推广,旨在通过互动体验和跨界融合,提供独特的文化与艺术体验。

摘要：探索二维材料与其衬底之间的黏附性能对于二维材料的制备、转移以及器件性能的优化至关重要.本文基于原子键弛豫理论和连续介质力学方法,系统研究了尺寸和温度对MoS_(2)/SiO_(2)界面黏附性能的影响.结果表明,由于表面效应引起的热膨胀系数、晶格应变和杨氏模量的变化,MoS_(2)/SiO_(2)界面黏附能随MoS_(2)厚度的减小而增大,而热应变使MoS_(2)/SiO_(2)界面黏附能随温度的升高而逐渐降低.此外,预测了在不同尺寸和温度下MoS_(2)在SiO_(2)衬底上的“脱落”条件,系统阐述了MoS_(2)与SiO_(2)衬底之间黏附性能的物理机制,为基于二维材料电子器件的优化设计提供了理论基础.

摘要：在新时代弘扬文化自信自强的背景下,为保护民族图案,使传统民族图案在新时代焕发活力,提高民族图案再设计效率,将可拓创新方法应用于民族图案的再设计中。提出一种民族图案可拓设计方法,其通过基元理论和可拓分析方法将图案基元的形态特征等显性信息和语义描述等隐性信息进行表征,并建立图案基元库进行图案信息的储存,运用可拓变换方法在设计实践阶段一次性生成足量的创意图案设计方案。最后本文以壮族织锦图案为例,实现了具有民族特色和美好寓意的创意图案在现代服饰上的应用,验证了该方法可以为民族图案的保护和传承提供一种思路,助力于推进传统文化现代创意设计实践的发展。

摘要：基于TSMC 65 nm CMOS工艺设计了一种工作频率覆盖0.1~2.0 GHz的宽带低功耗零中频射频接收机芯片。提出的接收机主要包含了无电感宽带低噪声放大器、无源混频器以及中频滤波器模块。其中,滤波器模块通过采用反相器替代了传统的跨阻放大器或者有源低通滤波器,在降低功耗的同时避免使用大量电容、电阻,达到了低功耗、小型化的目的。提出的接收机电路通过Cadence Explore工具后仿真验证,在1.2 V的电源电压下,通道增益约为57 dB,通道噪声系数约低于5.4 dB,三阶输入交调点大于-16.2 dBm,输入1 dB压缩点约-9.7 dBm@2 GHz,中频带宽为190 MHz,带外抑制在30倍频处为83 dBc,电路总静态功耗仅3.32 mW。