限定检索结果

检索条件"基金资助=北京市属市管高校中青年骨干教师计划"
19 条 记 录,以下是1-10 订阅
视图:
排序:
车用PBT长臂灯架防翘曲注射浇口设计分析
收藏 引用
《中国塑料》2009年 第4期23卷 61-63页
作者:冷崇杰 项辉宇 张媛 徐昌贵北京工商大学机械工程学院北京100048 
主要分析了影响长臂类零件注射成型过程中翘曲变形的主要因素,结合实例研究了多浇口注射成型方法对制件翘曲变形的影响。以车用PBT长臂灯架的注射浇口设计为例,通过数值模拟技术分别研究了采用单浇口、2浇口和3浇口注射成型时,由冷却和...
来源:详细信息评论
SiGe HBT低噪声放大器的设计与制造
收藏 引用
《电子与信息学报》2010年 第8期32卷 2028-2032页
作者:沈珮 张万荣 金冬月 谢红云北京工业大学电子信息与工程控制学院北京100124 
该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。基于0.35μm Si CMOS平面工艺...
来源:详细信息评论
基于OpenCV的车体覆盖件视觉测量的摄像机标定
收藏 引用
《机械设计与制造》2010年 第11期 198-200页
作者:程建璞 项辉宇北京工商大学机械工程学院北京100048 
以车体覆盖件视觉测量系统中的摄像机标定为研究对象,分析了开源计算机视觉库OpenCV中的摄像机模型,并考虑了镜头的畸变及求解方法,得出基于OpenCV的摄像机标定方法。该方法利用了OpenCV的函数库,简化了标定求解过程,提高了标定速率,并...
来源:详细信息评论
SiGe HBT低频噪声PSPICE模拟分析
收藏 引用
《半导体技术》2008年 第1期33卷 51-55页
作者:沙永萍 张万荣北京工业大学电控学院北京100022 
对SiGe HBT低频噪声的各噪声源进行了较全面的分析,据此建立了SPICE噪声等效电路模型,进一步用PSPICE软件对SiGe HBT的低频噪声特性进行了仿真模拟。研究了频率、基极电阻、工作电流和温度等因素对低频噪声的影响。模拟结果表明,相较于S...
来源:详细信息评论
基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计
收藏 引用
《半导体技术》2008年 第5期33卷 425-427,445页
作者:李佳 张万荣 谢红云 张蔚 沈珮 甘军宁北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100022 
基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪...
来源:详细信息评论
射频E类功率放大器并联电容技术研究
收藏 引用
《半导体技术》2008年 第4期33卷 333-335,359页
作者:甘军宁 张万荣 谢红云 何莉剑 李佳 沈珮北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100022 
为了使E类放大器工作效率最大,需要得到并联电容的确切数值。分析了含线性并联电容E类放大器的和含非线性晶体寄生输出电容E类放大器的不同特性,给出了不同的设计方法。指出了E类功率放大器设计过程中分析和计算并联电容的难点,阐述了...
来源:详细信息评论
一种无电感超宽带低噪声放大器的设计
收藏 引用
《微电子学》2009年 第6期39卷 807-810页
作者:黄毅文 张万荣 谢红云 沈珮 黄璐 胡宁北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 
基于Jazz 0.35μm SiGe工艺,设计了一款工作在3~10GHz频带范围内的超宽带低噪声放大器。该放大器采用电阻负反馈结构,并在发射极并联电容,以补偿晶体高频增益的下降。仿真结果显示,在整个工作频带内,放大器的增益在22.3dB以...
来源:详细信息评论
宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化
收藏 引用
《半导体技术》2011年 第1期36卷 31-35页
作者:孙博韬 张万荣 金冬月 谢红云 丁春宝 尤云霞 王任卿北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 
噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条件。并给出了该条件下,噪声抵...
来源:详细信息评论
具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
收藏 引用
《功能材料与器件学报》2009年 第1期15卷 15-19页
作者:沈珮 张万荣 谢红云 金冬月 李佳 甘军宁北京工业大学电子信息与工程控制学院北京100124 
本文对多发射极条(指)微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试,并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20—80指的GeSiHBT,发射极单位长度的电流密度I0在1.67—1.06A/cm之间变化。随发射极条数的增加,I0逐渐...
来源:详细信息评论
过程蓝图统一元模型语法
收藏 引用
《计算机工程与设计》2010年 第13期31卷 3017-3021页
作者:刘建宾北京信息科技大学计算机学院软件工程系北京100101 
为了以严格和可读的方式对过程蓝图建模语言进行定义,对元模型定义方法进行分析和基本集合与函数定义的基础上,采用基于集合、函数和一阶谓词逻辑的数学语言和自然语言相结合的半形式化技术和统一构造方法,对过程蓝图元模型的抽象语法...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部