摘要：使用原子力显微镜(AFM)观测了吸附在二氧化硅基片表面的硅烷偶联剂薄膜的形貌．结果表明,在气相法吸附过程中偶联剂是以分子形态吸附在基片表面,而在液相法吸附过程中偶联剂是以分子聚合体的形态吸附在基片表面,因此通过气相法吸附在基片表面的吸附膜比通过液相法吸附在基片表面的吸附膜光滑．硅烷偶联剂在二氧化硅基片表面有化学吸附和物理吸附两种模式,吸附了硅烷偶联剂薄膜的基片表面呈现出一定的疏水性．

摘要：采用气流湍流方法对二氧化硅颗粒进行表面改性处理,通过对其表面进行红外光谱研究,分析了其与有机基体的相容性,结果表明,采用气流湍流改性方法处理后的二氧化硅颗粒表面包覆了一层偶联剂分子,改善了与有机基体的相容性.为了研究KH-550的吸附机理,采用原子力显微镜和接触角测量仪对硅烷偶联剂在二氧化硅基片表面吸附的过程进行了实验研究:二氧化硅基片表面粗糙度随着处理时间的增加而增加,对水的接触角随处理时间的增加先增加而后趋于稳定,其表面由亲水性表面变为疏水性表面.